| 53 | Large-signal modeling of InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors including thermal and impact ionization effects = 열효과와 Impact ionization 효과를 포함한 InP/InGaAs 단일 이종접합 바이폴라 트랜지스터 대신호 모델링link Kim, Tae-Ho; 김태호; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 54 | LPCEO 기술을 이용한 GaAs 기반 heterostructure MOS 구조 RF switch 소자 제작 = Fabrication of GaAs-based heterostructure MOS RF switch devices using an LPCEO technologylink 김성연; Kim, Seong-Yeon; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 55 | LPCEO 을 이용한 GaAs MOS varactor 제작 = Fabrication of GaAs MOS varactor utilizing LPCEO (liquid phase chemical enhanced oxidation)link 신상철; Shin, Sang-Cheol; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 56 | Memristor 논리 회로 응용을 위한 Memristor의 특성 분석 = Performance characterization of $SiO_2$ memristors for memristor ratioed synaptic Logic(MRL) applicationslink 조동희; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 57 | Multiplexer circuit 양경훈, 2010-10-19 |
| 58 | New High-Sensitivity Logarithmic Response CMOS Active Pixel Sensor using a GIDL Mechanism 백인규; 이지원; 양경훈, 19th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2012-02 |
| 59 | Passivation과 field plate 구조를 이용한 고전력 AlGaN/GaN HEMT 제작 = Fabrication of high power AlGaN/GaN HEMTs using passivation and field plate structurelink 김승훈; Kim, Seung-Hun; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 60 | Passivation효과를 고려한 InP기반 HEMT의 공정 최적화 = Fabrication process optimization for InP-based HEMTs considering the passivation effectslink 김대희; Kim, Dae-Hee; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 61 | Performance of a Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiode using a Single Diffusion Process in Geiger-Mode Operation 이기원; 양경훈, 20th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2013-02-05 |
| 62 | Reconfigurable logic element 응용을 위한 InP 기반 series-connected RTD/HBT 단위 cell 개발 = Development of InP-based series-connected RTD/HBT unit cell for reconfigurable logic elementslink 박재홍; Park, Jae-Hong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 63 | Reconfigurable logic element 응용을 위한 InP 기반 series-connected RTD/HBT 단위 cell 개발 = Development of InP-based series-connected RTD/HBT unit cell for reconfigurable logic elementslink 박재홍; Park, Jae-Hong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 64 | Reset level Boosting in Self-adaptive CMOS Active Pixel Sensor for a Wide Output Voltage Swing at Low Voltage Operation Lee, J; Cho, Ch; Baek, I; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.54 - 55, 2009 |
| 65 | Resonant tunneling diode 분석을 위한 Wigner 함수 기반의 양자소자 모델링 = Quantum numerical modeling based on wigner function formulation for resonant tunneling diodeslink 김철호; Kim, Chul-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 66 | RTD-HBT differential oscillator topology 양경훈, 2009-08-11 |
| 67 | Self-aligned emitter-base contact과 base pad isolation을 이용한 초고주파용 InP/InGaAs HBT제작 = Fabrication of high-frequency InP/InGaAs HBTs using self-aligned emitter-base contact and base pad isolationlink 송용주; Song, Yong-Joo; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 68 | SET/RESET latch circuit, Schmitt trigger circuit, and MOBILE based D-type flip flop circuit and frequency divider circuit thereof 양경훈, 2009-08-11 |
| 69 | $SiN_x$ Sidewall 공정을 이용한 Self-aligned RTD의 개발 = Development of self-aligned RTDs using a $SiN_x$ sidewall processlink 이호연; Lee, Ho-Yeon; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 70 | Sub-THz 대역 무선응용을 위한 InP 쇼트키 장벽 다이오드와 집적된 RTD 쌍구조 기반 주파수 가변 발진기 개발 이기원; 양경훈; 강광용, 한국전자파학회 하계종합학술대회, 한국전자파학회 하계종합학술대회, 2020-08-20 |
| 71 | Suppression of Random Offset Deviation in a Rail-to-Rail Buffer Amplifier for Display Driver ICs Under Transistor Threshold Mismatch Song,Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.77 - 78, 2006 |
| 72 | SWIR 대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 암전류 특성을 지니는 InGaAs/InP Mesa-type PIN 포토다이오드 개발 = Development of InGaAs/InP Mesa-type PIN photodiodes with low dark current characteristics for SWIR imaging applicationslink 백승민; Baek, Seung Min; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 73 | SWIR 대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 암전류 특성을 지니는 InGaAs/InP Planar-type PIN 포토다이오드 개발 = Development of an InGaAs/InP planar-type PIN photodiode with low dark current characteristics for SWIR imaging applicationslink 김영준; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 74 | SWIR대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 Crosstalk 특성을 가지는 InGaAs/InP Planar-type PIN 포토다이오드 구조의 개발 = Development of a low crosstalk structure in InGaAs/InP Planar-type PIN photodiode arrays for short-wave infrared imaging applicationslink 노인섭; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 75 | THz IC 응용을 위한 높은 수율과 균일도를 지니는 Dry-etched RTD의 개발 = Development of Dry-etched RTDs with high yield and uniformity for THz IC applicationslink 임재진; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 76 | THz Imaging용 가변 용량 쇼트키 접합 다이오드를 사용한 RTD기반 주파수 변조 발진기 개발 = Development of RTD-based frequency tunable oscillators by using InP-based schottky barrier varactor diodes for THz imaging applicationslink 하동호; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 77 | THz 통신 시스템에 대한 비트오류율(Bit error rate) 측정 강광용; 백문철; 하재권; 강진섭; 양경훈, 한국전자파학회 하계종합학술대회, pp.1 - 1, 한국전자파학회, 2019-08-23 |
| 78 | Trap의 영향을 고려한 고주파 HEMT 잡음 모델링에 관한 연구 = Microwave HEMT noise modeling considering trap effectslink 황민지; Hwang, Min-Ji; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 79 | Tunneling diode logic IC using CML-type input driving circuit configuration and monostable bistable transition logic element (MOBILE) 양경훈, 2008-07-22 |
| 80 | 가변 집적회로 응용을 위한 공명터널다이오드 (RTD)-저항 기반 기본 게이트의 설계 = Design of resonant tunneling diode (RTD)-resistor based basic gates for reconfigurable IC applicationslink 배동혁; Bae, Dong-hyeok; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 81 | 가변 확산 공정기법을 이용한 낮은 Crosstalk 특성 SWIR 대역 InP 기반 포토다이오드 배열 소자 개발 = Development of InP-based Low-crosstalk Short-wave IR Photodiode Arrays by Using a Variable Diffusion Techniquelink 노형준; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 82 | 개선된 fixed pattern noise 특성을 가지는 hard-reset mode self-adaptive CMOS 능동 픽셀 센서에 관한 연구 = Study on a hard-reset mode self-adaptive CMOS active pixel sensor for low fixed pattern noiselink 최진우; Choi, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 83 | 개선된 fixed pattern noise 특성을 가지는 hard-reset mode self-adaptive CMOS 능동 픽셀 센서에 관한 연구 = Study on a hard-reset mode self-adaptive CMOS active pixel sensor for low fixed pattern noiselink 최진우; Choi, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 84 | 개선된 Fixed pattern noise 특성을 가지는 wide dynamic range CMOS 능동 픽셀 센서의 설계와 특성 분석 = Design and characterization of a wide dynamic range CMOS active pixel sensor with reduced fixed pattern noiselink 백인규; Baek, In-Kyu; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 85 | 고성능 CMOS Image Sensor를 위한 새로운 포토게이트 능동 픽셀 구조의 설계와 특성분석 = Design and characterization of a new photogate active-pixel structure for high performance CMOS image sensorslink 이성식; Lee, Sung-Sik; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 86 | 고성능 GaN PIN Diode 소자의 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of high-performance GaN PIN diodeslink 한세준; Han, Se-Jun; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 87 | 고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조 양경훈; 이성식; 이기원; 고광의, 2007-11-29 |
| 88 | 고주파 단일 집적회로 제작을 위한 다층구조 공정방법 양경훈, 2011-06-10 |
| 89 | 고체 촬상 소자의 픽셀 회로 양경훈; 이지원, 2010-06-03 |
| 90 | 굴절면과 InP V-groove를 이용한 표면 및 측면 입사형 InP/InGaAs PIN 광검출기의 제작 = Fabrication of surface and edge-illuminated InP/InGaAs PIN photodiodes utilizing refracting facet and InP V-groovelink 이방근; Lee, Bang-Keun; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 91 | 낮은 구동전압과 넓은 동작범위를 갖는 CMOS Image Sensor를 위한 부분선형 로그 능동 픽셀 구조의 설계 = Design of a piece-wise linear logarithmic active pixel structure for low voltage and wide dynamic range CMOS image sensorslink 이하준; Lee, Ha-Jun; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 92 | 넓은 동작 영역을 갖는 선형-로그 CMOS 이미지 센서의 온도 영향 특성 분석 및 개선 = Characterization and improvement of temperature dependent performance for a wide dynamic range linear-logarithmic CMOS image sensorlink 김삼기; Kim, Sam Ki; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 93 | 넓은 동작 영역을 갖는 선형-로그 CMOS 이미지 센서의 포토 다이오드 모델링을 통한 고정 패턴 잡음 특성 개선 = FPN correction for wide dynamic range linear-logarithmic CMOS image sensors based on the photodiode modelinglink 양동주; Yang, Dong-Joo; et al, 한국과학기술원, 2013 |
| 94 | 능동 픽셀 센서 양경훈; 이하준, 2009-05-15 |
| 95 | 다양한 Gate insulator 를 이용한 고전력 AlGaN/GaN MIS-HEMT 제작 = Fabrication of high-breakdown AlGaN/GaN MIS-HEMTs using various gate insulatorslink 고광의; Ko, Kwang-Ui; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 96 | 다층구조의 마이크로스트립 라인을 이용한 새로운 저 면적 3차원 하이브리드 커플러 양정길; 정용식; 최선규; 양경훈, 2006 Fall Conference, Korea Institute of Military Science & Technology, pp.158 - 161, 2006 |
| 97 | 데이터 수신기 및 데이터 수신 방법 차영수; 양경훈, 2008-03-26 |
| 98 | 듀얼 에지 트리거 샘플링 코어를 이용한 InP RTD 기반의 초고속 D Flip-Flop IC 집적회로 설계 = Design of high-speed InP RTD-based D Flip-Flop ICs using a Dual-edge-triggered sampling corelink 정규현; Chung, Kyu-Hyun; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 99 | 디멀티플렉서 양경훈, 2011-12-13 |
| 100 | 레저런트 터널링 다이오드를 이용한 차등 출력 발진기 양경훈, 2007-05-18 |
| 101 | 멀티플렉서 회로 양경훈; 김태호, 2009-07-31 |
| 102 | 무선 송신기 및 무선 송신기를 포함하는 통신 장치 양경훈; 이주석, 2014-06-27 |
| 103 | 미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법 권영세; 박은현; 양경훈, 2003-04-07 |
| 104 | 민감도 조절이 가능한 포토게이트 픽셀 구조를 이용한 고성능 포토게이트 구동 선형 이미지 센서 픽셀의 설계 = Design and characterization of linear photogate driving pixel for high performance image sensorslink 이지원; Lee, Ji-won; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 105 | 부성 미분 저항 소자 기반 가변 반사형 증폭기 회로 양경훈; 이종원, 2015-04-08 |
| 106 | 부성 미분 저항 소자 기반의 광-마이크로파 변환기, 및 이를 포함하는 장치들 양경훈; 이기원; 이주석; 박재홍, 2018-05-21 |
| 107 | 비등방성 식각을 이용한 서브마이크론 게이트 제조 방법 권영세; 전수근; 김문정; 양경훈, 2002-04-03 |
| 108 | 새로운 Inner Field-plate 구조를 이용한 고전력 AlGaN/GaN HEMTs의 향상된 DC와 RF 성능 이기원; 고광의; 이성식; 양경훈, 2006, Fall Conference, Korea Institute of Military Science & Technology, pp.155 - 157, 2006 |
| 109 | 새로운 Lateral reverse-etching 기술을 이용한 초고속 InP DHBT 제작 = Fabrication of high-speed InP DHBTs using a new lateral reverse-etching techniquelink 정용식; Jeong, Yong-Sik; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 110 | 셋/리셋 래치 회로, 시미트 트리거 회로 및 셋/리셋 래치회로를 이용한 모바일 기반의 Ｄ형 플립 플롭 회로와주파수 분배기 회로 양경훈, 2007-05-11 |
| 111 | 씨엠엘 듀얼 에지 트리거 샘플링 회로 및 플립-플롭 회로 양경훈, 2011-11-09 |
| 112 | 씨엠엘 듀얼 에지 트리거 샘플링 회로 및 플립-플롭 회로 양경훈, 2012-06-01 |
