비등방성 식각을 이용한 서브마이크론 게이트 제조 방법A fabrication method of sub-micron gate usinganisotropic etching

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본 발명은 반도체 소자의 서브마이크론 게이트 전극에 관한 것으로서, 특히 비등방성 식각을 이용하여 자기 정렬이 가능한 서브마이크론 게이트 제조 방법에 관한 것이다.종래 자기 정렬이 가능한 서브마이크론 게이트를 형성하기 위해서는 전자선 직접 쓰기(e-beam direct writing), 스텝퍼(stepper)와 같은 고가의 장비를 필요로 하거나, 자기 정렬을 위해서는 측벽(side-wall) 형성과 같은 복잡한 공정을 필요로 하기 때문에 제조단가가 높아지는 단점을 가지고 있었다. 이에 본 발명은 기존의 값싼 접촉 정렬기(contact aligner)와 간단한 비등방성 습식 식각 공정만을 가지고도 신뢰도 높은 서브마이크론 게이트를 형성함으로써 제조단가를 낮춘다. 또한 본 발명은 형성된 게이트를 이용하여 자기 정렬(self-align)이 가능하여 HBT(Hetro Bipolar Transistor)소자에서 베이스 전극형성시 베이스와 에미터사이의 거리를 최대한 줄일 수 있어서 베이스(base)저항을 줄이는 효과도 아울러 갖는다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2002-04-03
Application Date
2000-03-29
Application Number
10-2000-0016066
Registration Date
2002-04-03
Registration Number
10-0332834-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/232357
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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