미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법

Abstract

본 발명은 미세 패턴 및 미세 메탈(metal) 라인을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 특히 수천 옹스트롬 이하의 미세 패턴 및 미세 메탈 라인을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 기판위에 제 1물질을 일정 두께로 증착하고, 상기 제 1물질 상부면 일부에 마스킹 물질로 이루어진 마스크를 형성한다. 그리고 에칭방법을 사용하여 마스크가 형성되지 않은 상기 제 1물질을 제거하고, 상기 마스크 하부면의 제 1물질 일단도 에칭하여 마스크 밑으로 일정 깊이의 홈을 형성하며, 상기 제 1물질을 상기 마스크면 상부와 기판 상부면에 재증착하여 상기 홈을 구멍으로 변환시킨다. 이후 상기 마스크와 그 상부면에 재증착된 제1물질을 제거하여 미세 패턴을 형성하고, 형성된 미세 패턴위에 기존의 일반적인 반도체 리소그라피 방법 및 메탈 증착방법을 이용하여 미세 메탈라인을 형성함을 특징으로 한다.미세 패턴, 에칭, 마스크.