1 | 2D 열감 제공 장치 조병진; 김성호; 오옥균; 이규섭, 2019-06-12 |
2 | 2D 열감 제공 장치 및 그 제어 방법 조병진; 김성호; 김용준; 오옥균, 2019-06-12 |
3 | 3차원 플래쉬 메모리를 위한 매우 얇은 다결정 실리콘 채널 층을 갖는 정션리스 플래쉬 메모리의 특성에 관한 연구 박종경; 김승윤; 이기홍; 피승호; 이석희; 조병진, 제 21회 한국반도체학술대회, 한양대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2014-02-25 |
4 | 3차원 플래쉬 메모리의 이동도 향상을 위한 산화물 반도체 채널 도입 이윤희; 신의중; 이태인; 오승현; 조성행; 주찬종; 이재덕; et al, 제 30회 한국반도체학술대회, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2023-02-14 |
5 | 3차원 플래시 메모리를 위한 채널 두께와 고체화 결정법에 의한 결정 크기 효과에 관한 연구 김승윤; 박종경; 이승준; 이기홍; 피승호; 조병진, 22nd Korean Conference on Semiconductors, Incheon, Korea, 인하대학교, 2015-02-12 |
6 | 3차원 플래시 메모리를 위한 폴리실리콘 채널과 터널 산화막 간의 계면 연구 = Research on interface between channel Poly-Si and tunnel oxide for 3D flash memorylink 김승윤; Kim, Seungyoon; et al, 한국과학기술원, 2015 |
7 | 4H-SiC 금속-절연층-반도체 구조에서의 NO 후열처리 시간에 따른 전기적 특성 분석 = Electrical characteristics of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitor by different NO post-oxidation annealing exposure timelink 임천용; Lim, Cheon-Yong; et al, 한국과학기술원, 2014 |
8 | A High-Performance, Flexible Top-Gated Graphene Field-Effect Transistor with an iCVD Copolymer Gate Dielectric 박관용; 오중건; 김충선; 조병진; 임성갑, 2017년 추계 한국화학공학회, 한국화학공학회, 2017-10-27 |
9 | A study of device design and process integration for graphene FET = 그래핀 트랜지스터의 소자 구조 및 집적 공정 개발에 대한 연구link Song, Seung Min; 송승민; et al, 한국과학기술원, 2015 |
10 | (A) novel doping technology via the iCVD process for conformal and controlled nanoscale junction of semiconductors = 반도체의 컨포멀 및 나노 스케일 접합을 위한 iCVD 공정 기반의 새로운 도핑 기술link Kim, Jae Hwan; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2021 |
11 | (A) study on graphene synthesis for future carbon-based IC technology = 미래 탄소 기반 소자 기술을 위한 그래핀 합성 연구link Kang, Byung-Jin; 강병진; et al, 한국과학기술원, 2009 |
12 | (A) study on the applicability of amorphous boron nitride as a capping layer in Cu interconnect = 구리 배선에서 캡핑층으로서 비정질 질화 붕소의 활용 가능성에 대한 연구link Kim, Ki Ryong; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2023 |
13 | (A) study on the ferroelectricity after chemical treatment on the interface between bottom electrode TiN and HZO = 하부 티타늄 나이트라이드 전극과 하프늄 지르코늄 옥사이드 계면 화학처리에 따른 강유전성에 관한 연구link Gim, Dae Jun; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2023 |
14 | (A) study on the performance improvement of flexible thermoelectric power generators = 유연 열전 발전 소자의 성능 개선에 관한 연구link Choi, Hyeongdo; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2020 |
15 | Achievement and optimization leaky characteristics of ferroelectric FET neuron devices = 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 뉴런 소자의 누설 특성 확보 및 최적화link Kim, Hyung Jin; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2022 |
16 | Advanced interconnect engineering for porous ultralow-k dielectrics and beyond Cu metallization = 다공성 초저유전체와 신규 배선용 금속을 위한 차세대 배선 기술link Yoon, Seongjun; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2019 |
17 | Advanced synthesis method for high quality graphene as a channel material for next generation transistor = 차세대 트랜지스터 개발을 위한 진보된 그래핀 성장 연구link Mun, Jeong-Hun; 문정훈; et al, 한국과학기술원, 2013 |
18 | ALD of HfLaO and AlLaO for Flash Memory Device Application 조병진; He, W, The 4th Korean ALD Workshop, pp.99 - 115, 2008-05-30 |
19 | Analysis of fluorine effects on TANOS (TiN-$Al_2O_3$-$Si_3N_4$-$SiO_2$-polysilicon) memory devices for 3D NAND Flash = 3차원 낸드 플래시를 위한 타노스 메모리 소자에서의 플루오린 영향 분석link Lee, Tae Yoon; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2019 |
20 | Atomic layer deposited metal gate stack for logic and memory devices = 로직 및 메모리 소자를 위한 원자층 증착법을 이용한 금속 게이트 스택link Moon, Jungmin; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2018 |
21 | Atomic layer deposition of nickel and nickel germanide for next generation 3D devices = 차세대 3D 반도체 소자 적용을 위한 니켈의 원자층 증착 방법 공정 개발 및 니켈-저마나이드 형성link Ahn, Hyun Jun; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2020 |
22 | Channel Mobility Boosting through Ge profile and grain size engineering in a Ge-diffused Poly-Si channel for 3D V-NAND Flash Memory 이태인; 이윤희; 신의중; 김민주; 이정훈; 이재덕; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-26 |
23 | CMOS 이미지 센서용 소형 픽셀에서의 recessed transfer gate 및 full depth deep trench isolation 구조 특성에 대한 시뮬레이션 연구 = Simulation-based study on characteristics of recessed transfer gate and full depth deep trench isolation in small pixel for CMOS image sensorslink 구태림; 조병진; et al, 한국과학기술원, 2023 |
24 | Critical Factors in Graphene FET Design and Other Electronics Applications of Graphene 조병진, The 2nd Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2015-03-27 |
25 | Cu-Bi-Te계 열전 재료 및 그 형성 방법 조병진; 정인; 차준일 |
26 | CVD를 이용한 그래핀의 전자기 차폐효과 홍슬기; 김기영; 김택용; 조병진, 제20회 한국반도체학술대회, 동부하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2013-02-06 |
27 | Demonstration of NAND flash erase characteristics using oxide semiconductor channel = 산화물 반도체 채널을 적용한 낸드 플래시의 이레이즈 특성 구현link Lee, Yun Hee; 이윤희; et al, 한국과학기술원, 2023 |
28 | Demonstration of vertically stacked transfer-free MoS2 nanosheet transistor = 직성장 MoS2 적층형 나노시트 트랜지스터 구현 및 개발link Baeck, Soh Hee; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2022 |
29 | Design of a Multiway Thermo-acoustic Loudspeaker with Carbon Nanotubes Sheet 신의중; 김충선; 박수연; 최정우; 조병진, The 4th Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2017-04-06 |
30 | Design study of a rapid thermal annealing system and temperature control = 고속열처리 장치의 설계연구와 온도제어link Cho, Byung-Jin; 조병진; et al, 한국과학기술원, 1987 |
31 | Development of application technology and hybrid genera-tor to improve practicality of thermoelectric generator = 열전 발전 소자의 실용성 향상을 위한 응용기술 및 융합 발전 소자 기술 개발link Kim, Yong Jun; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2022 |
32 | Development of dual-mechanism memory device using charge trapping and ferroelectric switching for high-performance 3-D NAND flash = 고성능 3차원 낸드 플래시를 위한 전하 포획 및 강유전체 분극 스위칭 이중 메커니즘 메모리 개발link Shin, Eui Joong; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2023 |
33 | Development of flash memory using high-k dielectrics by the improvement of charge trap layer and blocking oxide layer and its theory = 고유전막을 이용한 전하포획막과 차단산화막의 향상을 이용한 플래쉬 메모리 개발 및 그 이론link Park, Young-Min; 박영민; et al, 한국과학기술원, 2011 |
34 | Development of Hf$_x$Zr$_{1-x}$O$_2$ based multi-layer for DRAM cell capacitor for sub-nm EOT and high endurance = 서브 나노미터 EOT 및 고내구성 DRAM용 셀 커패시터를 위한 Hf$_x$Zr$_{1-x}$O$_2$ 기반 멀티 레이어 박막 개발link Kim, Seongho; 김성호; et al, 한국과학기술원, 2024 |
35 | Development of high performance graphene field effect transistor and integrated circuit engineering = 고성능 그래핀 소자 집적회로 기술개발link Hong, Seul Ki; 홍슬기; et al, 한국과학기술원, 2015 |
36 | Development of high performance logic and memory devices using germanium and silicon-germanium channel = 저마늄 및 실리콘저마늄 채널을 이용한 고성능 로직 및 메모리 소자 개발link Lee, Tae In; 이태인; et al, 한국과학기술원, 2022 |
37 | Development of high-k organic-inorganic hybrid gate dielectrics for flexible electronics via chemical vapor phase synthesis = 화학적 기상 합성법을 이용한 유연 전자 소자용 고유전율 유-무기 하이브리드 게이트 절연막 개발link Kim, Min Ju; Cho, Byung-Jin; et al, 한국과학기술원, 2021 |
38 | Development of high-performance flexible single-crystalline silicon device and its application to flexible sensor = 고성능 유연 단결정 실리콘 소자 개발과 유연 센서 응용link Bong, Jae Hoon; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2019 |
39 | Development of process technology for high performance Ge MOSFETs = 단위 공정 연구를 통한 고성능 게르마늄 소자 개발link Seo, Yu Jin; 서유진; et al, 한국과학기술원, 2017 |
40 | Diffusion Barrier Property of an Ultrathin Graphene Layer for Advanced Cu Interconnect Technology 봉재훈; 윤성준; Alexander Yoon; 황완식; 조병진, The 2nd Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2015-03-26 |
41 | DRAM capacitor 의 응용을 위한 ALD기법을 사용하여 증착한 HfLaO의 전기적 특성에 관한 연구 = Electrical characteristics of ALD HfLaO for DRAM capacitor applicationlink 설혜정; Seol, Hea-Jung; et al, 한국과학기술원, 2009 |
42 | DRAM 셀 커패시터 적용을 위한 낮은 온도의 열처리 및 E-field cycling을 통한 HfxZryO2의 k값 개선 = Improvement of k-value of HfxZryO2 through low temperature annealing and electric field cycling for dram cell capacitor applicationlink 문선국; 조병진; et al, 한국과학기술원, 2021 |
43 | Electric-field-cycling-induced phase transformation method to obtain morphotropic phase boundary in HfxZr1-xO2 김성호; 문선국; 박우영; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-24 |
44 | Electromigration-resistance Improvement of Cu Nano-wire by Reduced Graphene Oxide Coating 윤성준; 조병진, The 1st Korean Graphene Symposium, 한국 그래핀 연구회, 2014-04-03 |
45 | Enhancement of Dielectric Constant of HfO2 by Lanthanum Incorporation and Crystallization 조병진; He, W; Chan, DSH, 16th Korean Conference on Semiconductors, 2009-02-20 |
46 | Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2 신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
47 | Enhancing ferroelectricity of $HfO_2$ by inserting $ZrO_2$ interlayer on Si substrate = 실리콘 기판 위에 지르코늄 산화막 중간층 삽입을 통한 하프늄 산화막의 강유전성 개선link Lee, Sang Jae; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2019 |
48 | Evaluation of effective work function and electrical properties via post-deposition annealing on $GeO_2$/Ge based gate stack = 저마늄 산화막/저마늄 기반의 게이트 구조에서 열처리에 따른 유효 일함수 및 전기적 특성 평가link Lee, Tae In; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2017 |
49 | Evaluation of high voltage generator MOSFET with green laser annealing for M3D based Peri-on-Cell flash memory = 그린 레이저를 이용한 모노리식 3D 집적 기반 페리-온-셀 플래시 메모리 내 고전압 전하 펌핑 회로 소자 구현link Kim, Hee Tae; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2023 |
50 | Experimental results of a prototype rapid thermal annealing system 조병진; Kim, KT; Kim, CK, Conf. on CAD, Semiconductor Material and Components, pp.71 - 71, 1986-05-14 |
51 | Fabrication and electrical properties of graphene field-ffect Device = 그래핀 전계 효과 소자의 제작 및 전기적 특성 분석link Ren, Zhe; 임철; et al, 한국과학기술원, 2009 |
52 | Fabrication of ultrathin(sub-6 nm) Sn doped amorphous gallium oxide field effect transistor with enhanced mobility = 향상된 이동도를 갖는 초박막(6 nm 이하) 주석 도핑된 비정질의 산화갈륨 전계 효과 트랜지스터 제작link Kim, Eui Joon; Cho, Byung Jin; 조병진; Hwang, Wansik; et al, 한국과학기술원, 2021 |
53 | Facile Graphene N-doping by Wet Chemical Treatment for Electronic Applications 봉재훈; 설원제; Alexander Yoon; 최성율; 조병진, The 1st Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2014-04-03 |
54 | First Experimental Demonstration of Junctionless SiGe PMOS FinFETs on n-type Bulk-Si 김태균; 윤영광; 문정민; 문동일; 이기성; 이동욱; 황철해; et al, 제20회 한국반도체학술대회, 동부하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2013-02-05 |
55 | Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅 신성원; 신의중; 조병진, 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회, 대한전자공학회, 2021-06-30 |
56 | Flexible RRAM based on Graphene Oxide 홍슬기; 조병진, 18th Korean Conference on Semiconductors, 2011-02 |
57 | Graphene based Cu diffusion barrier 김재환; 윤성준; 봉재훈; Yoon, Alexander; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15 |
58 | Graphene for Electronic Devices 조병진, 한국공업화학회, 2012-03 |
59 | Graphene for MOS devices 조병진, 2012 한국재료학회 제 22 회 신소재 심포지엄, 2012-05 |
60 | Graphene for RF and 3D IC Applications 조병진; 홍슬기; 송승민, 13th RF Integrated Circuit Technology Workshop, 대한전자공학회 RF집적회로기술연구회, 2013-09-26 |