| 1 | 240GHz fmax InP/InGaAs Single HBT fabrication and modeling Song, Y; Kim, T; Yoon, M; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.21 - 22, 2002 |
| 2 | 3차원 구조의 MMIC를 위한 다층구조 전송선의 제작과 특성 분석 = Fabrication and characterization of multilayer transmission lines for the implementation of three-dimensional MMICslink 이수훈; Lee, Soo-Hoon; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 3 | 5 GHz Low-Power RTD-Based Amplifier MMIC With a High Figure-Of-Merit of 24.5 dB/mW 이종원; 이주석; 박재홍; 양경훈, 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2013-05-19 |
| 4 | 5.8 GHz 대역 무선 전송 시스템용 CPW 급전 방식의 안테나 설계 및 제작 = Design and fabrication of CPW-fed antennas for a 5.8 GHz wireless transmitter systemlink 김맹규; Kim, Maeng-Kyu; et al, 한국과학기술원, 2012 |
| 5 | A 40Gb/s Low DC-power 2:1 Multiplexer IC using a Monolithic quantum-effect device technology Choi, S; Jeong,Y; Lee, J; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.26 - 27, 2009 |
| 6 | A 45 mW RTD/HBT MOBILE D-Flip Flop IC Operating up to 26 Gb/s Kim, T; Jeong,Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.703 - 704, 2006 |
| 7 | A fabrication method of sub-micron gate using anisotropic etching 권영세; 전수근; 김문정; 양경훈, 2002-08-02 |
| 8 | A Low Power RTD/HBT Non-return-to-Zero (NRZ) D-type Flip Flop ICs using a CML-type MOBILE Scheme Kim, T; Lee, B; Choi, S; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.193 - 194, 2005 |
| 9 | A Study on inP-based high gain photodetection device technologies for low-power optoelectronic integrated circuit (OEIC) applications = 저전력 광전자 집적회로 응용을 위한 InP 기반 고 이득 광 검출 소자 기술에 대한 연구link Lee, Ki Won; 이기원; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 10 | ASOPS와 광학계 기반의 THz 분광-영상 시스템의 특성 강광용; 백문철; 하재권; 이승철; 강진섭; 양경훈, 한국전자파학회 하계종합학술대회, pp.1 - 1, 한국전자파학회, 2019-08-23 |
| 11 | Calculation of Random Offset Deviation in Rail-to-Rail Buffer Using Transistor Threshold Mismatch for Display Driver ICs Song, Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.261 - 262, 2005 |
| 12 | Compact InP/InGaAs PIN SPDT/SP3T Switches using BCB-based 3-D MMIC Technology Yang, JG; Choi, S; Eom, H; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.317 - 318, 2008 |
| 13 | Data receiver and data receiving method 양경훈, 2010-06-22 |
| 14 | Design and characterization of a wide dynamic range CMOS image sensor with on-chip FPN correction capability = On-Chip FPN 보정 기능을 갖는 Wide-Dynamic-Range CMOS 이미지 센서 설계 및 특성 분석link Lee, Ji-Won; 이지원; et al, 한국과학기술원, 2013 |
| 15 | Design and characterization of high-speed low-power multiplexer ICs using an InP-based RTD/HBT technology = 공명 터널링 다이오드/이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용한 초고속 저전력 멀티플렉서의 설계 및 특성 분석link Choi, Sun-Kyu; 최선규; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 16 | Design and characterization of low-power RTD/HBT digital ICs for high-speed transceivers = 초고속 Transceiver를 위한 저전력 공명 터널링 다이오드/이종접합 바이폴라 트랜지스터 디지털 회로의 설계 및 특성 분석link Kim, Tae-ho; 김태호; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 17 | Design and characterization of RTD oscillators for THz wave generation = THz 신호 발생을 위한 RTD 발진기 회로의 설계 및 특성 분석link Lee, Jooseok; 이주석; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 18 | Design and fabrication of THz frequency-range RTD oscillators with enhanced output power and frequency tunability = 향상된 발진 출력 및 주파수 변조 특성을 가지는 테라헤르츠 대역 RTD 발진기 회로의 설계 및 제작link Kim, Maeng-Kyu; Yang, Kyounghoon; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 19 | Design and implementation of a Ka-band 4-bit MMIC phase shifter using an InP-based PIN diode Yang, JG; Kim, M; 양경훈, 감시정찰정보학술대회, pp.114 - 114, 2009 |
| 20 | Design and Implementation of a Ku-band 5bit MMIC Phase Shifter using InGaAs PIN Diodes Yang, JG; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.22 - 23, 2009 |
| 21 | Design and simulation of 20 Gbps-level MOBILE based on an RTD-HEMT Technology Kim,T; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.469 - 470, 2003 |
| 22 | Design of a New Pinned Photodiode Structure for High Sensitivity CMOS Image Sensors Lee, S; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.69 - 70, 2006 |
| 23 | Development of High-Performance Micro/Millimeter-wave Band PIN-Diode MMICs using a BCB-Based Multi-Layer Technology = BCB 기반 다층구조 제작기술을 이용한 고성능 마이크로/밀리미터파 대역 핀-다이오드 집적회로 개발에 대한 연구link Yang, Jung-Gil; 양정길; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 24 | Development of reflection-type low-power amplifier MMICs using InP-based resonant tunneling diodes = InP 기반 공명 터널 다이오드를 이용한 반사형 저전력 증폭기 집적회로 개발에 대한 연구link Lee, Jong-Won; 이종원; et al, 한국과학기술원, 2014 |
| 25 | Development of RTD-based oscillators with improved RF power performances by using RTD pair topology = RTD pair topology 를 이용한 개선된 출력 성능의 RTD 발진기 집적회로 개발에 관한 연구link Park, Jae-Hong; Yang, Kyounghoon; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 26 | Development of Self-Aligned RTDs using a SiNx Sidewall Process Lee, H; Lee, J; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.564 - 565, 2010 |
| 27 | Development of ultra-low power quantum-effect VCO MMICs based on an InP-based RTD/HBT IC fabrication technology = InP-based RTD/HBT 집적회로 제작기술 기반의 초저전력 양자효과 전압제어발진기 개발에 대한 연구link Jeong, Yong-Sik; 정용식; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 28 | Dynamic Range Enhancement of a Self-adaptive APS with Pulsed Photogate Bias Cho, C; Lee, J; Baek, I; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.606 - 607, Korean Conference on Semiconductors, 2010 |
| 29 | Enhanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs using a gate/drain field-plate structure Kim,; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.447 - 448, 2006 |
| 30 | Fabrication and characterization of AlAs/InGaAs/InAs Resonant Tunneling Diodes 홍성철; 김형태; 최성순; 김석진; 송생섭; 양경훈; 서광석, Korean Conference On Semiconductors, pp.341 - 342, 2003-02-27 |
| 31 | Fabrication and characterization of mmW-band InP/InGaAs PIN phase shifters using a developed BCB-based multi-layer technology = BCB 기반 다층구조를 이용한 밀리미터파 대역 InP/InGaAs PIN phase shifter의 제작 및 특성 분석link Kim, Mun-Ho; 김문호; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 32 | Fabrication of Edge-Illuminated Refracting Facet Photodiodes with on-chip V-grooves Lee, B; Yoon, M; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.51 - 52, 2003 |
| 33 | Fabrication of GaAs-based Heterosturcture-MOS RF Switch Devices Using an LPCEO Technology Kim, S; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.469 - 470, 2006 |
| 34 | Fabrication of High fmax InP DHBTs Using a New Wet Etching Method Jeong, Y; Song, Y; Choi, S; Yoon, M; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.347 - 348, 2003 |
| 35 | Fabrication of Near Infrared Planar Geiger-mode Avalanche Photodiodes using a Single Diffusion Process 이기원; 양경훈, 19th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2012-02 |
| 36 | Fixed Pattern Noise Correction for a Linear-Logarithmic CMOS Image Sensor using a Correction Constant 양동주; 이지원; 백인규; 양경훈, 20th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2013-02-06 |
| 37 | GaAs 산화막 형성 기술을 이용한 새로운 GaAs MMIC MOS Varactor 김성연; 양경훈, 한국군사과학기술학회 2004년 종합학술대회 및 정기총회, pp.517 - 519, 한국군사과학기술학회, 2004 |
| 38 | HBT 및 IC 설계 및 제작기술 양경훈, 무선통신용MMIC및 Module Workshop, pp.167 - 201, 1999 |
| 39 | High performance mmW-band MMIC phase shifters using InP-based PIN diodes with a high-cutoff Kim, M; Yang, JG; 양경훈, 2009 Spring Conference on Microwave and Wave Propagation, pp.103 - 103, 2009 |
| 40 | High-Performance Q-Band MMIC Phase Shifters Using InGaAs PIN Diodes 김문호; 양정길; 양경훈, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE, v.9, no.3, pp.159 - 163, 2009-09 |
| 41 | High-speed digital/analog ICs using a Monolithic quantum-effect heterojunction device technology Choi, S; Lee, B; Kim, T; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.189 - 190, 2005 |
| 42 | InP HBT Technology based on new crystallographical etching characteristics 양경훈, ISRC Workshop, Compound Semiconductor Materials and Devices, pp.1 - 10, 2003 |
| 43 | InP HBT technology for Micro/mm-Wave Applications 양경훈, 무선통신용MMIC및 Module Workshop 2000, pp.231 - 242, 2000 |
| 44 | InP RTD/HBT를 이용한 초고속 디지털 회로 설계 = High speed digital circuit design using InP RTD/HBT technologylink 최선규; Choi, Sun-Kyu; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 45 | InP 기반 60 GHz RTD MMIC 발진기의 전력 결합에 대한 연구 = Study on a power combining technique of 60 GHz InP-based RTD MMIC oscillatorslink 신종원; Shin, Jongwon; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 46 | InP 기반 Heterogeneous RTD MMIC를 위한 Flip-chip-bonding 기술의 개발 = Development of a flip-chip-bonding technology for InP-based heterogeneous RTD MMICslink 신효종; Shin, Hyo-Jong; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 47 | InP 기반 PIN MMIC 기술을 이용한 밀리미터파 대역레이더 시스템용 제어 회로 개발 Yang, JG; 양경훈, 군수용초고주파부품워크샵, pp.240 - 240, 2009 |
| 48 | InP-based device & IC technology for high frequency microelectronics 양경훈; Kim, T.; Yoon, M.; Kim,M.; Song, Y.; Lee, B., 2000 Fall Conference, Korea Institute of Military Science & technology, pp.181 - 186, 2000 |
| 49 | InP/InGaAs PIN diode를 이용한 다층구조 MMIC attenuator 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of multi-layer MMIC attenuators using InP/InGaAs PIN diodeslink 엄현철; Eom, Hyun-Chul; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 50 | K/Ka/Q-band 4-bit Digital Attenuator using a T-type Resistive Network Yang, JG; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.552 - 553, 2010 |
| 51 | Ku-band differential RTD/HBT VCO with ultra low DC-power Consumption Choi, S; Jeong, Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.455 - 456, 2006 |
| 52 | Ku-band Multi-layer 3-bit Digital Attenuator MMIC using InP/InGaAs PIN Diodes Eom, H; Yang, JG; Choi, S; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.918 - 919, 2008 |
| 53 | Large-signal modeling of InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors including thermal and impact ionization effects = 열효과와 Impact ionization 효과를 포함한 InP/InGaAs 단일 이종접합 바이폴라 트랜지스터 대신호 모델링link Kim, Tae-Ho; 김태호; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 54 | LPCEO 기술을 이용한 GaAs 기반 heterostructure MOS 구조 RF switch 소자 제작 = Fabrication of GaAs-based heterostructure MOS RF switch devices using an LPCEO technologylink 김성연; Kim, Seong-Yeon; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 55 | LPCEO 을 이용한 GaAs MOS varactor 제작 = Fabrication of GaAs MOS varactor utilizing LPCEO (liquid phase chemical enhanced oxidation)link 신상철; Shin, Sang-Cheol; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 56 | Memristor 논리 회로 응용을 위한 Memristor의 특성 분석 = Performance characterization of $SiO_2$ memristors for memristor ratioed synaptic Logic(MRL) applicationslink 조동희; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 57 | Multiplexer circuit 양경훈, 2010-10-19 |
| 58 | New High-Sensitivity Logarithmic Response CMOS Active Pixel Sensor using a GIDL Mechanism 백인규; 이지원; 양경훈, 19th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2012-02 |
| 59 | Passivation과 field plate 구조를 이용한 고전력 AlGaN/GaN HEMT 제작 = Fabrication of high power AlGaN/GaN HEMTs using passivation and field plate structurelink 김승훈; Kim, Seung-Hun; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 60 | Passivation효과를 고려한 InP기반 HEMT의 공정 최적화 = Fabrication process optimization for InP-based HEMTs considering the passivation effectslink 김대희; Kim, Dae-Hee; et al, 한국과학기술원, 2003 |
