A fabrication method of sub-micron gate using anisotropic etching

Abstract

【과제】 간단한 공정에 의하고 자기 정합이 가능하고，게다가 신뢰도가 높은 서브 미크론 게이트를 값이 싸게 제조한 것이 가능하다，비 등방성 에칭을 포함한 서브 미크론 게이트의 제조 방법을 제공한다． 【해결 수단】 HBT 의(것) 이미터 캡 층 14 위에 더미 이미터 층 12 및 13을 적층한 제 1 공정과 ，더미 이미터 층 12 위에 폭 L1의 게이트 형성구를 갖았던 감광성 수지 패턴 21을 형성한 제 2 공정과 ，게이트 형성구의 아래쪽의 더미 이미터 층 13에 관하여，에칭에 의하고 노출한 이미터 캡 층 14의 폭 L2가 폭 L1보다(부터) 좁아지도록，선택적에 비 등방성 에칭을 행한 제 3 공정과 ，제 3 공정에 의하고 에칭 된 부분에 접촉 금속층 51을 형성하고，게이트를 형성한 제 4 공정을 포함한다．