1 | 2.4-GHz Integrated CMOS Switch Mixer and Quadrature VCO 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
2 | A 2.4-GHz CMOS LNA with harmonic cancellation and current reuse technique Kwon I.; Gil J.; Lee K.; 신형철, 제9회 반도체학술대회, pp.251 - 254, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
3 | A 2.4-GHz Fully Integrated CMOS Quadrature VCO 신형철, IDEC Conference 2002-Summer, pp.31 - 34, 2002 |
4 | A 3-mW, -119.2dBc/Hz@1MHz, 2.6-GHz, CMOS quadrature VCO using helical inductors as a noise filter 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
5 | A New EEPROM with Floating ? Gate Storage Node 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
6 | A New RF Model of the Accumulation-Mode MOS Varactor Valid up to 18 GHz 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
7 | A simple wide-band on-chip inductor model for silicon-based RF IC's 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
8 | Characteristics of ECR (Electron Cyclotron Resonance) N2O Radical Oxide and Its Application to MOSFET with Floating Polysilicon Spacers 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
9 | Comparative Study of the De-embedding Methods for RF device 신형철, Agilent EEsof User Workshop, pp.55 - 57, 2002 |
10 | Design of 20 nm T-Gate MOSFET with Source/Drain-to-Gate Non-Overlapped Structure 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
11 | Extraction of channel thermal noise from NF50 for deep-submicron NMOSFETs Han K.; 신형철, 제9회 반도체학술대회, pp.501 - 504, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
12 | Extraction of substrate resistances of RF MOSFETs with various geometries Han J.; Je M.; 신형철, 제9회 반도체학술대회, pp.224 - 228, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
13 | Four-Terminal Modeling and Parameter Extraction of RF MOSFETs 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
14 | Gate delay characteristics of sub 30 nm MOS with non-overlapped source-drain to gate 신형철, 제9회 반도체학술대회, 한국반도체학술대회, 2002-02 |
15 | HgCdTe 표면 보호막의 전기적 특성 향상을 위한 표면처리 이성훈; 이희철; 신형철; 김충기, 새물리, v.11, no.특별호, pp.S75 - S79, 1998-01 |
16 | LWIR용 HgCdTe 적외선 감지소자의 제작과 열처리에 의한 특성 향상 이희철; 배수호; 김영호; 신형철; 김충기, 응용물리, v.11, no.0, pp.S80 - S83, 1998-01 |
17 | MOS Image Sensor Cell Suppressed Blooming 신형철, Proc. of Conference of KITE, pp.308 - 311, 1987 |
18 | Off-state Leakage Currents of MOSFETs with High-k Dielectric 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
19 | Optimization of Spiral Inductors on Siliocon Substrate 신형철, IDEC Conference 2002-Summer, pp.49 - 52, 2002 |
20 | Optimization of Symmetric Spiral Inductors on Siliocon Substrate 신형철, Agilent EEsof User Workshop, pp.58 - 62, 2002 |
21 | SOI 양자소자 제작과 단전자터널링 특성 신형철; Lee, Kwyro, 응용물리, v.11, no.3, pp.310 - 314, 1998-03 |
22 | Sub-um SOI-MOSEFET 제작 및 양자효과: SOL 단전자 터널링 트랜지스터 제작 기반 연구 신형철; 이귀로, 응용물리, v.11, no.2, pp.192 - 194, 1998-03 |
23 | Temperature-adaptive capacitor block and temperature-compensated crystal oscillator using it 신형철, 2001-10-19 |
24 | The RF Macro Models of the MOS Varactor and MIM Capacitor in 0.18mm CMOS Technology 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
25 | The Scalable Macro-Model of 0.18-mm MOSFETs for RF Applications 신형철, 제9회 반도체학술대회, 제9회 반도체학술대회, 2002-02 |
26 | The Scalable Model for the Substrate Resistance in Multi-finger RF MOSFETs 신형철, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
27 | 극소 채널 소자의 제조방법 신형철; 이종호; 한상연 |
28 | 극소채널 MOS 트랜지스터 제조방법 신형철; 이종호; 한상연; 장성일, 2015-04-13 |
29 | 극소채널 MOS 트랜지스터 제조방법 신형철; 이종호; 한상연; 장성일, 2002-06-25 |
30 | 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법 신형철; 김일권; 이종호, 2000-08-11 |
31 | 반도체 집적회로 기술 신형철, 물리학과첨단기술, v.12, no.12, pp.25 - 31, 2000-12 |
32 | 보조 트랜지스터를 구비한 고속/저전력 전계효과트랜지스터 신형철; 길준호; 제민규; 이종호 |
33 | 열 영상을 위한 Hg0.7Cd0.3Te 128X1 적외선 감지소자 어레이 및 실리콘 Readout 회로 제작 신형철; 이성훈; 윤난영; 배수호; 김충기, 국방소재 학술대회, pp.47 - 60, 1996 |
34 | 이중-게이트 플래쉬 메모리소자 및 그 제조방법 신형철; 이종호, 2004-02-12 |
35 | 이중-게이트 FinFET 소자 및 그 제조방법 신형철, 2004-11-12 |
36 | 전기화학 센서 기반의 저전력 마이크로 무선 환경감시 시스템의 개발 윤의식; 이귀로; 신형철; 윤광석; 박대식; 김경현; 김홍정; et al, 제10회 반도체학술대회, 제10회 반도체학술대회, 2003-02 |
37 | 전자선 석판 기술에서 디지타이징과 노광후 굽기 최적화를 통한 40nm급 패턴제작에 관한 연구 한상연; 신형철; 이귀로, 전자공학회지 D, v.36, no.10, pp.23 - 30, 1999-10 |
38 | 집적 시스템을 위한 기판 구조 및 그 제조방법 신형철, 2002-08-13 |
39 | 측면형 전계방출소자의 제조방법 신형철; 양선아; 이종호 |
40 | 플래쉬 메모리 소자 및 제조방법 신형철; 이종호, 2004-05-03 |