나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

Abstract

본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.