| 30 | Fabrication and characterization of AlAs/InGaAs/InAs Resonant Tunneling Diodes 홍성철; 김형태; 최성순; 김석진; 송생섭; 양경훈; 서광석, Korean Conference On Semiconductors, pp.341 - 342, 2003-02-27 |
| 31 | Fabrication and characterization of mmW-band InP/InGaAs PIN phase shifters using a developed BCB-based multi-layer technology = BCB 기반 다층구조를 이용한 밀리미터파 대역 InP/InGaAs PIN phase shifter의 제작 및 특성 분석link Kim, Mun-Ho; 김문호; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 32 | Fabrication of Edge-Illuminated Refracting Facet Photodiodes with on-chip V-grooves Lee, B; Yoon, M; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.51 - 52, 2003 |
| 33 | Fabrication of GaAs-based Heterosturcture-MOS RF Switch Devices Using an LPCEO Technology Kim, S; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.469 - 470, 2006 |
| 34 | Fabrication of High fmax InP DHBTs Using a New Wet Etching Method Jeong, Y; Song, Y; Choi, S; Yoon, M; 양경훈, Korean Conference On Semiconductors, pp.347 - 348, 2003 |
| 35 | Fabrication of Near Infrared Planar Geiger-mode Avalanche Photodiodes using a Single Diffusion Process 이기원; 양경훈, 19th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2012-02 |
| 36 | Fixed Pattern Noise Correction for a Linear-Logarithmic CMOS Image Sensor using a Correction Constant 양동주; 이지원; 백인규; 양경훈, 20th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2013-02-06 |
| 37 | GaAs 산화막 형성 기술을 이용한 새로운 GaAs MMIC MOS Varactor 김성연; 양경훈, 한국군사과학기술학회 2004년 종합학술대회 및 정기총회, pp.517 - 519, 한국군사과학기술학회, 2004 |
| 38 | HBT 및 IC 설계 및 제작기술 양경훈, 무선통신용MMIC및 Module Workshop, pp.167 - 201, 1999 |
| 39 | High performance mmW-band MMIC phase shifters using InP-based PIN diodes with a high-cutoff Kim, M; Yang, JG; 양경훈, 2009 Spring Conference on Microwave and Wave Propagation, pp.103 - 103, 2009 |
| 40 | High-Performance Q-Band MMIC Phase Shifters Using InGaAs PIN Diodes 김문호; 양정길; 양경훈, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE, v.9, no.3, pp.159 - 163, 2009-09 |
| 41 | High-speed digital/analog ICs using a Monolithic quantum-effect heterojunction device technology Choi, S; Lee, B; Kim, T; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.189 - 190, 2005 |
| 42 | InP HBT Technology based on new crystallographical etching characteristics 양경훈, ISRC Workshop, Compound Semiconductor Materials and Devices, pp.1 - 10, 2003 |
| 43 | InP HBT technology for Micro/mm-Wave Applications 양경훈, 무선통신용MMIC및 Module Workshop 2000, pp.231 - 242, 2000 |
| 44 | InP RTD/HBT를 이용한 초고속 디지털 회로 설계 = High speed digital circuit design using InP RTD/HBT technologylink 최선규; Choi, Sun-Kyu; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 45 | InP 기반 60 GHz RTD MMIC 발진기의 전력 결합에 대한 연구 = Study on a power combining technique of 60 GHz InP-based RTD MMIC oscillatorslink 신종원; Shin, Jongwon; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 46 | InP 기반 Heterogeneous RTD MMIC를 위한 Flip-chip-bonding 기술의 개발 = Development of a flip-chip-bonding technology for InP-based heterogeneous RTD MMICslink 신효종; Shin, Hyo-Jong; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 47 | InP 기반 PIN MMIC 기술을 이용한 밀리미터파 대역레이더 시스템용 제어 회로 개발 Yang, JG; 양경훈, 군수용초고주파부품워크샵, pp.240 - 240, 2009 |
| 48 | InP-based device & IC technology for high frequency microelectronics 양경훈; Kim, T.; Yoon, M.; Kim,M.; Song, Y.; Lee, B., 2000 Fall Conference, Korea Institute of Military Science & technology, pp.181 - 186, 2000 |
| 49 | InP/InGaAs PIN diode를 이용한 다층구조 MMIC attenuator 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of multi-layer MMIC attenuators using InP/InGaAs PIN diodeslink 엄현철; Eom, Hyun-Chul; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 50 | K/Ka/Q-band 4-bit Digital Attenuator using a T-type Resistive Network Yang, JG; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.552 - 553, 2010 |
| 51 | Ku-band differential RTD/HBT VCO with ultra low DC-power Consumption Choi, S; Jeong, Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.455 - 456, 2006 |
| 52 | Ku-band Multi-layer 3-bit Digital Attenuator MMIC using InP/InGaAs PIN Diodes Eom, H; Yang, JG; Choi, S; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.918 - 919, 2008 |
| 53 | Large-signal modeling of InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors including thermal and impact ionization effects = 열효과와 Impact ionization 효과를 포함한 InP/InGaAs 단일 이종접합 바이폴라 트랜지스터 대신호 모델링link Kim, Tae-Ho; 김태호; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 54 | LPCEO 기술을 이용한 GaAs 기반 heterostructure MOS 구조 RF switch 소자 제작 = Fabrication of GaAs-based heterostructure MOS RF switch devices using an LPCEO technologylink 김성연; Kim, Seong-Yeon; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 55 | LPCEO 을 이용한 GaAs MOS varactor 제작 = Fabrication of GaAs MOS varactor utilizing LPCEO (liquid phase chemical enhanced oxidation)link 신상철; Shin, Sang-Cheol; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 56 | Memristor 논리 회로 응용을 위한 Memristor의 특성 분석 = Performance characterization of $SiO_2$ memristors for memristor ratioed synaptic Logic(MRL) applicationslink 조동희; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 57 | Multiplexer circuit 양경훈, 2010-10-19 |
| 58 | New High-Sensitivity Logarithmic Response CMOS Active Pixel Sensor using a GIDL Mechanism 백인규; 이지원; 양경훈, 19th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2012-02 |
| 59 | Passivation과 field plate 구조를 이용한 고전력 AlGaN/GaN HEMT 제작 = Fabrication of high power AlGaN/GaN HEMTs using passivation and field plate structurelink 김승훈; Kim, Seung-Hun; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 60 | Passivation효과를 고려한 InP기반 HEMT의 공정 최적화 = Fabrication process optimization for InP-based HEMTs considering the passivation effectslink 김대희; Kim, Dae-Hee; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 61 | Performance of a Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiode using a Single Diffusion Process in Geiger-Mode Operation 이기원; 양경훈, 20th 한국 반도체 학술대회, 한국 반도체 학술대회, 2013-02-05 |
| 62 | Reconfigurable logic element 응용을 위한 InP 기반 series-connected RTD/HBT 단위 cell 개발 = Development of InP-based series-connected RTD/HBT unit cell for reconfigurable logic elementslink 박재홍; Park, Jae-Hong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 63 | Reconfigurable logic element 응용을 위한 InP 기반 series-connected RTD/HBT 단위 cell 개발 = Development of InP-based series-connected RTD/HBT unit cell for reconfigurable logic elementslink 박재홍; Park, Jae-Hong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 64 | Reset level Boosting in Self-adaptive CMOS Active Pixel Sensor for a Wide Output Voltage Swing at Low Voltage Operation Lee, J; Cho, Ch; Baek, I; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.54 - 55, 2009 |
| 65 | Resonant tunneling diode 분석을 위한 Wigner 함수 기반의 양자소자 모델링 = Quantum numerical modeling based on wigner function formulation for resonant tunneling diodeslink 김철호; Kim, Chul-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 66 | RTD-HBT differential oscillator topology 양경훈, 2009-08-11 |
| 67 | Self-aligned emitter-base contact과 base pad isolation을 이용한 초고주파용 InP/InGaAs HBT제작 = Fabrication of high-frequency InP/InGaAs HBTs using self-aligned emitter-base contact and base pad isolationlink 송용주; Song, Yong-Joo; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 68 | SET/RESET latch circuit, Schmitt trigger circuit, and MOBILE based D-type flip flop circuit and frequency divider circuit thereof 양경훈, 2009-08-11 |
| 69 | $SiN_x$ Sidewall 공정을 이용한 Self-aligned RTD의 개발 = Development of self-aligned RTDs using a $SiN_x$ sidewall processlink 이호연; Lee, Ho-Yeon; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 70 | Sub-THz 대역 무선응용을 위한 InP 쇼트키 장벽 다이오드와 집적된 RTD 쌍구조 기반 주파수 가변 발진기 개발 이기원; 양경훈; 강광용, 한국전자파학회 하계종합학술대회, 한국전자파학회 하계종합학술대회, 2020-08-20 |
| 71 | Suppression of Random Offset Deviation in a Rail-to-Rail Buffer Amplifier for Display Driver ICs Under Transistor Threshold Mismatch Song,Y; 양경훈, Korean Conference on Semiconductors, pp.77 - 78, 2006 |
| 72 | SWIR 대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 암전류 특성을 지니는 InGaAs/InP Mesa-type PIN 포토다이오드 개발 = Development of InGaAs/InP Mesa-type PIN photodiodes with low dark current characteristics for SWIR imaging applicationslink 백승민; Baek, Seung Min; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 73 | SWIR 대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 암전류 특성을 지니는 InGaAs/InP Planar-type PIN 포토다이오드 개발 = Development of an InGaAs/InP planar-type PIN photodiode with low dark current characteristics for SWIR imaging applicationslink 김영준; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 74 | SWIR대역 이미징 시스템 응용을 위한 낮은 Crosstalk 특성을 가지는 InGaAs/InP Planar-type PIN 포토다이오드 구조의 개발 = Development of a low crosstalk structure in InGaAs/InP Planar-type PIN photodiode arrays for short-wave infrared imaging applicationslink 노인섭; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 75 | THz IC 응용을 위한 높은 수율과 균일도를 지니는 Dry-etched RTD의 개발 = Development of Dry-etched RTDs with high yield and uniformity for THz IC applicationslink 임재진; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 76 | THz Imaging용 가변 용량 쇼트키 접합 다이오드를 사용한 RTD기반 주파수 변조 발진기 개발 = Development of RTD-based frequency tunable oscillators by using InP-based schottky barrier varactor diodes for THz imaging applicationslink 하동호; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 77 | THz 통신 시스템에 대한 비트오류율(Bit error rate) 측정 강광용; 백문철; 하재권; 강진섭; 양경훈, 한국전자파학회 하계종합학술대회, pp.1 - 1, 한국전자파학회, 2019-08-23 |
| 78 | Trap의 영향을 고려한 고주파 HEMT 잡음 모델링에 관한 연구 = Microwave HEMT noise modeling considering trap effectslink 황민지; Hwang, Min-Ji; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 79 | Tunneling diode logic IC using CML-type input driving circuit configuration and monostable bistable transition logic element (MOBILE) 양경훈, 2008-07-22 |
| 80 | 가변 집적회로 응용을 위한 공명터널다이오드 (RTD)-저항 기반 기본 게이트의 설계 = Design of resonant tunneling diode (RTD)-resistor based basic gates for reconfigurable IC applicationslink 배동혁; Bae, Dong-hyeok; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 81 | 가변 확산 공정기법을 이용한 낮은 Crosstalk 특성 SWIR 대역 InP 기반 포토다이오드 배열 소자 개발 = Development of InP-based Low-crosstalk Short-wave IR Photodiode Arrays by Using a Variable Diffusion Techniquelink 노형준; 양경훈; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 82 | 개선된 fixed pattern noise 특성을 가지는 hard-reset mode self-adaptive CMOS 능동 픽셀 센서에 관한 연구 = Study on a hard-reset mode self-adaptive CMOS active pixel sensor for low fixed pattern noiselink 최진우; Choi, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 83 | 개선된 fixed pattern noise 특성을 가지는 hard-reset mode self-adaptive CMOS 능동 픽셀 센서에 관한 연구 = Study on a hard-reset mode self-adaptive CMOS active pixel sensor for low fixed pattern noiselink 최진우; Choi, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 84 | 개선된 Fixed pattern noise 특성을 가지는 wide dynamic range CMOS 능동 픽셀 센서의 설계와 특성 분석 = Design and characterization of a wide dynamic range CMOS active pixel sensor with reduced fixed pattern noiselink 백인규; Baek, In-Kyu; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 85 | 고성능 CMOS Image Sensor를 위한 새로운 포토게이트 능동 픽셀 구조의 설계와 특성분석 = Design and characterization of a new photogate active-pixel structure for high performance CMOS image sensorslink 이성식; Lee, Sung-Sik; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 86 | 고성능 GaN PIN Diode 소자의 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of high-performance GaN PIN diodeslink 한세준; Han, Se-Jun; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 87 | 고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조 양경훈; 이성식; 이기원; 고광의, 2007-11-29 |
| 88 | 고주파 단일 집적회로 제작을 위한 다층구조 공정방법 양경훈, 2011-06-10 |
| 89 | 고체 촬상 소자의 픽셀 회로 양경훈; 이지원, 2010-06-03 |
