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70421
ECR PECVD 법으로 제조한 고집적 메모리소자 charge storage capacitor용 PLZT박막의 전기적 특성

이원종, 한국재료학회 1996 추계학술연구발표회, pp.0 - 0, 1996-01-01

70422
ECR PECVD 법을 이용한 PLZT박막의 제조

이원종, 한국재료학회 1995 추계학술연구발표회, pp.0 - 0, 1995-01-01

70423
ECR PECVD방법에 의한 탄탈륨 산화 박막에 증착 온도 및 열처리 온도가 미치는 영향(초록 No;C-32)

이원종; 이정용; 안성덕; 조복원; 김종석; 김일; 권기원; et al, 한국요업학회 추계학술연구발표회, 1993

70424
ECR PECVD법에 의한 PbTiO3박막제조

이원종; 노광수; 정성웅; 신중식; 김재환, 한국요업학회 추계학술연구발표회, 한국요업학회, 1993

70425
ECR PECVD법에 의한 페로브스카이트상(Pb, La)TiO3 박막 증착 연구

Jeong, Seong-Ung; Park, Hye-Ryeon; Lee, Won-Jong, 한국재료학회지, v.7, no.1, pp.33 - 39, 1997-04

70426
ECR PECVD법으로 증착된 lead titanate박막의 조성과 미세구조에 대한 증착변수의 영향

정수옥; 정성웅; 이원종, 한국재료학회지, v.7, no.2, pp.93 - 101, 1997-04

70427
ECR PECVD법으로 증착한 PZT 커패시터의 전극이 미치는 영향

이원종; 이희철, 한국재료학회 춘계학술발표대회, pp.0 - 0, 2000-05-01

70428
ECR PECVD법을 이용한 SiOF 박막의 증착 특성 및 유전율 안정화에 관한 연구 = A study on the deposition characteristics and the dielectric stability of the SiOF films deposited by ECR PECVDlink

변경문; Byun, Kyung-Mun; et al, 한국과학기술원, 1999

70429
ECR PECVD법을 이용한 ULSI DRAM Capacitor용 (Pb,La)(Zr,Ti)$O_3$ 박막의 제조 및 특성 평가 연구 = Fabrication and characterization of ECR PECVD (Pb,La)(Zr,Ti)$O_3$ thin films for the charge storage capacitors of ULSI DRAMlink

신중식; Shin, Joong-Shik; 이원종; 천성순; et al, 한국과학기술원, 1997

70430
ECR PECVD에 의한 다이아몬드 막의 식각특성에 관한 연구 = A study on the etching characteristics of diamond film by ECR PECVDlink

조두현; Cho, Du-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1999

70431
ECR plasma enhanced DC magnetron multi-target sputtering 방법을 이용한 $Pb(Zr,Ti)O_3$ 박막의 제조 및 특성 평가 연구 = Preparation and characterization of $Pb(Zr,Ti)O_3$ thin films by ECR plasma enhanced DC magnetron multi-target sputteringlink

김성태; Kim, Sung-Tae; et al, 한국과학기술원, 1997

70432
ECR plasma enhanced multi-target sputtering 법을 이용한 Pb(Zr,Ti)O3 박막의 제조 및 특성 평가

이원종; 김성태; 김현호, 한국재료학회 추계학술연구발표회 1996, pp.0 - 0, 1996-01-01

70433
ECR plasma oxidation effects on performance and stability of polysilicon thin film transistors

Lee Jung-Yeal; Han Chul-Hi; Kim, Choong Ki, Proceedings of the 1994 IEEE International Electron Devices Meeting, pp.523 - 526, 1994-12-11

70434
ECR thermal oxidation을 이용한 Bottom gate poly-Si TFT의 제작 및 특성 분석

한철희, 한국반도체학술대회, 1995

70435
ECR 산소 플라즈마를 이용한 저온 열산화

이정렬; 강석원; 이진우; 한철희; 김충기, 전자공학회논문지, v.32, no.3, pp.461 - 470, 1995-03

70436
ECR 산소 플라즈마에 의한 SiO2 박막의 성장 거동 및 전기적 특성

안성덕; 이원종, 한국세라믹학회지, v.32, no.3, pp.371 - 377, 1995-04

70437
ECR 열산화막의 특성분석 및 다결정실리콘 박막트랜지스터에의 응용 = Characterization of ECR thermal oxide and its application to polysilicon TFT'slink

오길환; Oh, Kil-Hwan; et al, 한국과학기술원, 1993

70438
ECR 플라즈마 기상화학증착법에 의한 초고집적 회로의 기억소자용 탄탈륨 산화 박막의 제조 및 특성에 관한 연구 = A study on the tantalum oxide dielectric thin films for memory devices of ULSI by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor depositionlink

김종석; Kim, Jong-Seok; et al, 한국과학기술원, 1993

70439
ECR 플라즈마 기상화학증착법으로 제조한 초고집적회로 금속화공정의 확산방지용 TiN 박막의 특성 = The characteristics of TiN thin films prepared by ECR-PECVD as a diffusion barrier layer in ULSI metallization processlink

김종석; Kim, Jong-Seok; et al, 한국과학기술원, 1997

70440
ECR 플라즈마 산화를 이용한 하위 게이트 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of bottom-gate poly-Si TFT using ECR plasma oxidationlink

한정인; Han, Jung-In; et al, 한국과학기술원, 1995

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