128 | N-MOS 제작법을 이용한 2-BIT ALU의 설계와 제작 = Design and fabrication of a 2-BIT ALU using N-MOS technologylink 정봉영; Chung, Bong-Young; et al, 한국과학기술원, 1979 |
129 | New pixel circuits for active-matrix organic light-emitting diode displays = 능동 구동 유기 발광 다이오드 표시기를 위한 새로운 화소 회로link Goh, Joon-Chul; 고준철; et al, 한국과학기술원, 2004 |
130 | Optimum power distribution in zone melting crystallization of poly silicon by a focused lamp 김충기, 젊은 공학도를 위한 반도체 Workshop, 1991 |
131 | Overview of Korea Semiconductor Industry 김충기, Korea-US IC Design Automation and Manufacturing Workshop, pp.3 - 7, 1993 |
132 | P-Hg(1-x)Cd(x)Te 에서의 Ohmic-Contact 형성 김충기; 이희철; 정한; 이성훈; 정희찬, 제 4회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.275 - 297, 1993 |
133 | p-Hg0.7Cd0.3Te에 낮은 저항의 접촉을 얻는 방법에 대한 연구 이희철; 김관; 정한; 김성철; 김충기; 김흥국; 김재목, 전자공학회논문지, v.31, no.10, pp.1344 - 1350, 1994-10 |
134 | Parametric investigation of zone melting recrystallization of polysilicon and threshold voltage model for thin SOI MOSFET = ZMR 공정의 매개변수 최적화와 얇은 SOI MOSFET에서의 문턱전압 모델link Choi, Jin-Ho; 최진호; et al, 한국과학기술원, 1992 |
135 | PMOS 집적회로 제작 기법을 사용한 seven segment decoder / driver 의 설계 및 제작 = Design and fabrication of a seven segment decoder/driver with PMOS technologylink 임형규; Rim, Hyung-Gyu; et al, 한국과학기술원, 1978 |
136 | Power MOSFET의 설계 및 제작 = Design and fabrication of power MOSFETlink 박찬광; Park, Chan-Kwang; et al, 한국과학기술원, 1987 |
137 | Power Semiconductor Devices in Korea 김충기, Korea-Japan Joint Symposium on Electrical Material and Discharge, 1986 |
138 | Programmable controller 의 hardware module 에 관한 연구 = A study on hardware modules for a programmable controllerlink 김영헌; Kim, Yeong-Heon; 김충기; 변증남; et al, 한국과학기술원, 1983 |
139 | Programmable controller 의 software 와 programming device = Software and programming device for programmable controllerlink 김용수; Kim, Yong-Soo; 김충기; 변증남; et al, 한국과학기술원, 1983 |
140 | PtSi/p-Si schottky diode를 이용한 16 x 1 적외선 감지 line sensor의 simulation 및 제작 = Simulation and fabrication of a 16 x 1 IR line sensor with PtSi/p-Si schottky diodelink 문호영; Moon, Ho-Yeong; et al, 한국과학기술원, 1988 |
141 | Rapid Thermal Annealing System의 시험 제작 김충기, 대한전자공학회 반도체 및 CAD연구회,합동학술발표회, 1986 |
142 | Rapid Thermal Diffusion of Boron and Phosphorous into Silicon 김충기, International Conference on VLSI and CAD, 1991 |
143 | Rapid thermal diffusion of boron and phosphorus into silicon using solid diffusion sources = 고체 확산 Source 를 사용한 붕소와 인의 실리콘으로의 고속 열확산link Kim, Kyeong-Tae; 김경태; et al, 한국과학기술원, 1988 |
144 | Rapid thermal process 를 이용한 metal gate CMOS 의 공정 설계 = Design of metal gate CMOS processing using rapid thermal processlink 박성계; Park, Sung-Kye; et al, 한국과학기술원, 1990 |
145 | Rapid thermal process를 이용한 티타늄 실리사이드의 형성 및 그 응용 = Formation of titanium silicides by rapid thermal process and its applicationslink 장성진; Jang, Seong-Jin; et al, 한국과학기술원, 1990 |
146 | Readout 회로의 잡음 분석 및 저잡음 readout 회로 설계 김충기, 적외선 영상 센서 conference, pp.150 - 154, 1999 |
147 | Readout 회로의 잡음 분석과 개선을 위한 회로 제안 이희철; 김병혁; 김대기; 윤난영; 김충기, 제10회 적외선 영상센서 Conference, 1999 |
148 | Reliability study and effect of NH3 annealing on the electrical characteristics of polysilicon thin film transistors = 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 신뢰성 연구 및 암모니아 열처리가 전기적 특성에 미치는 영향link Choi, Duk-Sung; 최득성; et al, 한국과학기술원, 1995 |
149 | RTA 시스템에서의 wafer의 온도 simulation과 제어방법 김충기, 대한전자공학회 전기재료, 반도체 및 CAD 학술대회 논문집, 1987 |
150 | RTA 시스템에서의 온도제어와 웨이퍼상의 온도분포 Simulation 조병진; 김경태; 김충기, 전자공학회논문지, v.25, no.6, pp.57 - 63, 1988-06 |
151 | RTP 를 사용한 BN 고체 확산원으로부터의 얇은 p + n 접합형성 김충기, 대한전자공학회 전기재료, 반도체 및 CAD 학술대회 논문집, 1987 |
152 | SFTL 의 실현가능성에 관한 연구 = Feasibility study on substrate ded threshold logiclink 유근형; Yoo, Geun-Hyung; et al, 한국과학기술원, 1981 |
153 | Short-channel NMOS transistor 의 threshodk 전압과 punchthrough 전압의 감소에 관한 실험적 연구 = An experimental study on the threshold voltage and punchthrough voltage reduction in short-channel NMOS transistorslink 이원식; Lee, Won-Shik; et al, 한국과학기술원, 1981 |
154 | Silicon anodization 을 이용한 silicon 에서의 boron 과 arsenic diffusion profile 의 측정 = Measurements of diffusion profile of boron and arsenic in silicon by the silicon anodization methodlink 박형무; Park, Hyung-Moo; et al, 한국과학기술원, 1980 |
155 | SOI NMOSFET에서 Edge효과 감소를 위한 LOCOS공정 김충기, 한국반도체학술대회, pp.209 - 210, 1994 |
156 | STN 액정 표시기를 위한 active addressing 제어기의 설계 및 제작 = Design and implementation of active addressing controller for STN LCDlink 박성훈; Park, Sung-Hoon; et al, 한국과학기술원, 1994 |
157 | Study on the A/D conversion error due to capacitance error = 정전용량 오차가 아날로그 디지탈 변환오차에 미치는 영향link Lee, Yun-Tae; 이윤태; Kim, Choong-Ki; Kyung, Chong-Min; et al, 한국과학기술원, 1985 |
158 | Study on the degradation of electron and hole's surface mobility by $Si/SiO_2$ interface roughness = $Si/SiO_2$ 경계면의 surface roughness 에 의한 전자 및 정공의 표면 이동도 감소에 대한 연구link Sim, Sang-Pil; 심상필; Kim, Choong-Ki; Lee, Kwy-Ro; et al, 한국과학기술원, 1990 |
159 | Substrare fed threshold logic = Substrate fed threshold 논리에 관한 연구link Han, Chul-Hi; 한철희; Kim, Choong-Ki; Kwon, Young-Se; et al, 한국과학기술원, 1983 |
160 | Suppression of misfit dislocations in heavily boron-doped silicon layer for micro-machining = 마이크로-머시닝을 위한 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층의 부정합 전위의 억제link Lee, Ho-Jun; 이호준; et al, 한국과학기술원, 1996 |
161 | Surface treatment effects on the electrical properties of insulator/HgCdTe interface = 표면 처리가 절연막과 HgCdTe 간 계면의 전기적 특성에 미치는 영향link Lee, Seong-Hoon; 이성훈; et al, 한국과학기술원, 1998 |
162 | Surface treatment of HgCdTe in $H_2S$ gas for improving the HgCdTe/ZnS interface properties = HgCdTe/ZnS 계면특성 향상을 위한 $H_2S$ 가스에서의 HgCdTe 표면처리link Jeong, Jae-Hong; 정재홍; et al, 한국과학기술원, 1993 |
163 | TCE oxidation이 interface trap density 와 minority carrier generation lifetime 에 미치는 영향 = Effects of TCE oxidation on interface trap density and minority carrier generation lifetimelink 소순태; Soh, Sun-Tae; et al, 한국과학기술원, 1981 |
164 | TCE 가 실리콘 산화공정에 미치는 영향 = The effects of TCE on the silicon oxidation processlink 최태현; Choi, Tai-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1982 |
165 | (The) effect of $Si-SiO_2$ interface on the excess point defect distribution in silicon = $Si-SiO_2$ 경계면이 실리콘 내의 과포화 점결합 분포에 미치는 영향link Shin, Seung-Yun; 신윤승; et al, 한국과학기술원, 1984 |
166 | (The) effect of input power conditions on the quality of the zone-melting recrystallized silicon film using radiative heat source = 입력 파워 조건이 복사성 열원으로 재결정화된 실리콘 박막의 질에 미치는 효과link Yoon, Byoung-Jin; 윤병진; et al, 한국과학기술원, 1993 |
167 | (The) effect of process parameter variation on the performance of MOS linear integrated circuit = Process parameter 의 변화가 MOS 선형집적 회로의 성능에 미치는 영향link Shin, Jang-Kyoo; 신장규; et al, 한국과학기술원, 1980 |
168 | Three-dimensional microstructure technology for microfluidic systems and integrated inductors = 미소유체 시스템과 집적 인덕터를 위한 3차원 미소구조체 기술link Yoon, Jun-Bo; 윤준보; et al, 한국과학기술원, 1999 |
169 | Two-Dimensional Analysis of Latch-Up Phenomena in Latch-Up-Free Self-Aligned IGBT Structures 김충기, International Symposium on Power Electronics, 1989 |
170 | Two-step rapid thermal diffusion od phosphorus and boron into silicon from solid diffusion sources = 고체 확산 소오스를 사용한 인과 붕소의 실리콘으로의 2단계 고속 열 확산link Kim, Jeong-Gyoo; 김정규; et al, 한국과학기술원, 1989 |
171 | Two-Step Rapid Thermal Diffusion of Phosphorus into Silicon from a Solid diffusion Source 김충기, Technical Digest International Conference on VLSI and CAD, 1989 |
172 | Type conversion of polycrystalline silicon heavily doped with both boron and phosphorus due to high current conduction = 고농도의 보곤과 인을 포함하는 다결정 실리콘에 고전류를 흘렸을때 발생하는 현상link Kim, O-Hyun; 김오현; Kim, Choong-Ki; Kwon, Young-Se; et al, 한국과학기술원, 1983 |
173 | ZnS/p-HgCdTe 의 계면 특성을 개선 시키기 위한 표면처리 김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관, HgCdTe 반도체 Conference, pp.369 - 386, 1992 |
174 | 결정방향과 수직전장에 따른 MOS 표면 전자이동도의 변화에 대한 연구 = A study on MOS surface electron mobility variation at high vertical field with crystal orientationlink 최주선; Choi, Joo-Sun; 이귀로; 김충기; et al, 한국과학기술원, 1989 |
175 | 고농도 BF2 이온 주입된 실리콘의 고속열처리 조병진; 김충기, 새물리, v.2, no.4, pp.407 - 412, 1989-11 |
176 | 고속 열처리(RTA)에 의한 Au/p-HgCdTe 의 접촉저항 감소 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.321 - 331, 1992 |
177 | 고속열처리(RTA)에 의한 Au/p-HgCdTe의 접촉 저항의 감소 이희철; 김성철; 정재홍; 김충기, 제 3회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.321 - 331, 1992 |
178 | 고속열확산 공정에 의해 형성된 Phosphorus Source/Drain 을 갖는 NMOS 트랜지스터의 특성 조병진; 김정규; 김충기, 전자공학회논문지, v.27, no.9, pp.1409 - 1418, 1990-09 |
179 | 고주파 CMOS IC를 사용하는 디지탈 보드에서의 ground bounce와 잡음 발생 = Ground bounce and noise generation in digital board using high speed CMOS IClink 김기상; Kim, Ki-Sang; 이귀로; 김충기; et al, 한국과학기술원, 1989 |
180 | 고해상도 투과성 Active-matrix LCD 를 위한 단결정 실리콘 기판의 연구 = Single crystal silicon substrates for high resolutin transmissive active-matrix LCDlink 윤준보; Yoon, Jun-Bo; et al, 한국과학기술원, 1995 |
181 | 고해상도 투과성 Active-Matrix LCD를 위한 단결정 실리콘 기판의 연구 윤준보; 이호준; 한철희; 김충기, 제 2 회 한국 반도체 학술대회, pp.313 - 314, 1995-02 |
182 | 광섬유 자이로스코프를 위한 새로운 디지털 신호처리방법 = A new digital signal processing method for fiber optical gyroscopelink 오형석; Oh, Hyoung-Seok; et al, 한국과학기술원, 2002 |
183 | 광전압형 HgCdTe 적외선 감지소자 제작 현황 및 문제점 김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관; 송정섭, 제 2회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.267 - 292, 1991 |
184 | 구동력 계산법 및 H∞ 제어를 병용한 직접구동방식 머니퓰레이터의 궤적제어 김충기; 강봉수; 김수현; 곽윤근, 한국정밀공학회지, v.13, no.10, pp.123 - 129, 1996-10 |
185 | 국부적 발열 현상을 이용하여 트랜지스터의 출력전류를 증가시키는 어닐링 방법 최양규; 한준규; 박준영; 김충기 |
186 | 금속표면 특성에 따른 핵비등 열전달의 실험적 고찰 = An experimental study of the nucleate pool boiling on various surface characteristicslink 김충기; Kim, Choong-Ki; et al, 한국과학기술원, 1976 |
187 | 급속 열처리시 실리콘 웨이퍼의 온도분포와 슬립 현상의 해석 이혁; 유영돈; 엄윤용; 신현동; 김충기, 대한기계학회논문집 A, v.79, pp.609 - 620, 1992-04 |