| 106 | Latch-free self-aligned power MOSFET and IGBT structure utilizing silicide contact technology = 실리이드 접촉을 이용한 래치현상이 없는 자기정렬된 전력MOSFET 과 IGBT 구조link Koh, Yo-Hwan; 고요환; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 107 | Latchup 방지를 위한 Schottky-Clamped CMOS 경종민; 오춘식; 김충기, 대한전자공학회 하계종합학술대회 , v.8, no.1, pp.28 - 31, 1985 |
| 108 | LBIC 측정을 이용한 HgCdTe Diode 의 특성분석 김충기, 적외선 영상 샌서 Conference, 1998 |
| 109 | LBIC(Laser Beam Induced Current) 측정을 이용한 HgCdTe diode의 특성 분석 이희철; 배수호; 김영호; 김충기, 제 9회 HgCdTe 반도체 Conference, 1998 |
| 110 | LBIC(Laser Beam Induced Current) 측정을 이용한 HgCdTe Diode의 특성 연구 Lee, Hee-Chul; 배수호; 김영호; 김충기, 응용물리, v.12, no.0, pp.42 - 46, 1999-12 |
| 111 | LWIR용 HgCdTe 적외선 감지소자의 제작과 열처리에 의한 특성 향상 Hee Chul Lee; 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.99 - 103, 1996-11-01 |
| 112 | LWIR용 HgCdTe 적외선 감지소자의 제작과 열처리에 의한 특성 향상 이희철; 배수호; 김영호; 신형철; 김충기, 응용물리, v.11, no.0, pp.S80 - S83, 1998-01 |
| 113 | Measurement of implantation profile by MOS C-V characteristiclink 정진국; Chung, Jin-Kuk; et al, 한국과학기술원, 1977 |
| 114 | MEMS-based fuel reformer integrated with catalytic combustor using carbon nanotubes as catalyst supports = 탄소나노튜브 촉매 지지체를 사용한 촉매 연소기와 이를 집적화 시킨 MEMS 연료 개질기의 개발link Park, Dae-Eun; 박대은; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 115 | MEMS-Based Methanol Steam Reforming System as a Hydrogen Supplier for PEM Fuel Cells 박대은; 김태규; 권세진; 김충기; 윤의식, 한국반도체학술대회, 한국물리학회, 2005-02-24 |
| 116 | Modeling for the current and dynamic resistance characteristics of the HgCdTe infrared photodiode = HgCdTe 적외선 다이오드의 전류 및 동저항 특성에 관한 모델링link Kim, Kwan; 김관; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 117 | Modeling of floating body silicon-on-insulator n channel MOSFET = 부유기판 n 채널 에스오아이 모스 트랜지스터 모델링link Yu, Hyun-Kyu; 유현규; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 118 | Modeling of rapid thermal diffusion of phosphorusinto silicon and its application to VLSI fabrication = 고속열확산에 의한 실리콘 내부로의 인확산공정에 대한 모델과 VLSI 재조공정에의 응용link Cho, Byung-Jin; 조병진; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 119 | Modeling of short-channel effects and edge effects of fully-depleted thin film SOI NMOSFET's = 완전 공핍된 박막 SOI NMOSFET의 단채널 효과와 가장자리 효과 모델링link Park, Jae-Woo; 박재우; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 120 | MOS 실리콘-액정 복합 Light Valve 권영세; 김충기; 송종인, 대한젼자공학회 추계 종합학술대회, 1981 |
| 121 | MOS 트랜지스터의 전압 - 전류 특성을 이용한 아나로그 곱셈기의 집적회로 구현 김충기, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1988 |
| 122 | MOS 트랜지스터의 전압-전류 특성을 이용한 아날로그 승적기의 집적회로 구현 = IC implementation of analog multiplier which have the voltage-current characteristric of MOSFETlink 송호준; Song, Ho-Jun; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 123 | MOSEFT source and drain structures for high density CMOS integrated circuits = 고집적 CMOS 집적회로를 위한 MOSEFT 의 소오스와 드레인 구조link Oh, Choon-Sik; 오춘식; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 124 | Multilevel resistive switching memory based on MoS2 embedded graphene oxide 신광혁; 김충기; 방경숙; 장병철; 최양규; 최성율, 제 4회 한국 그래핀 심포지엄, 제 4회 한국 그래핀 심포지엄, 2017-04-06 |
| 125 | MWIR 및 LWIR 대역을 위한 HgCdTe 적외선 감지소자의 제작 이희철; 김충기; Krzystof, C; 김영호, 국방과학연구소 통신/전자 학술대회, pp.613 - 625, 1997 |
| 126 | MWIR용 128*1 HgCdTe 다이오드 어레이의 제작 및 특성 이희철; 김충기; 박승만; 이성훈; 김영호, 제 5회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.99 - 108, 1994 |
| 127 | MWIR용 128X1 HgCdTe 다이오드 어레이의 제작 및 특성 이희철; 박승만; 김영호; 김충기; 이성훈, 응용물리, v.8, no.9, pp.70 - 74, 1995-09 |
| 128 | N-MOS 제작법을 이용한 2-BIT ALU의 설계와 제작 = Design and fabrication of a 2-BIT ALU using N-MOS technologylink 정봉영; Chung, Bong-Young; et al, 한국과학기술원, 1979 |
| 129 | New pixel circuits for active-matrix organic light-emitting diode displays = 능동 구동 유기 발광 다이오드 표시기를 위한 새로운 화소 회로link Goh, Joon-Chul; 고준철; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 130 | Optimum power distribution in zone melting crystallization of poly silicon by a focused lamp 김충기, 젊은 공학도를 위한 반도체 Workshop, 1991 |
| 131 | Overview of Korea Semiconductor Industry 김충기, Korea-US IC Design Automation and Manufacturing Workshop, pp.3 - 7, 1993 |
| 132 | P-Hg(1-x)Cd(x)Te 에서의 Ohmic-Contact 형성 김충기; 이희철; 정한; 이성훈; 정희찬, 제 4회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.275 - 297, 1993 |
| 133 | p-Hg0.7Cd0.3Te에 낮은 저항의 접촉을 얻는 방법에 대한 연구 이희철; 김관; 정한; 김성철; 김충기; 김흥국; 김재목, 전자공학회논문지, v.31, no.10, pp.1344 - 1350, 1994-10 |
| 134 | Parametric investigation of zone melting recrystallization of polysilicon and threshold voltage model for thin SOI MOSFET = ZMR 공정의 매개변수 최적화와 얇은 SOI MOSFET에서의 문턱전압 모델link Choi, Jin-Ho; 최진호; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 135 | PMOS 집적회로 제작 기법을 사용한 seven segment decoder / driver 의 설계 및 제작 = Design and fabrication of a seven segment decoder/driver with PMOS technologylink 임형규; Rim, Hyung-Gyu; et al, 한국과학기술원, 1978 |
| 136 | Power MOSFET의 설계 및 제작 = Design and fabrication of power MOSFETlink 박찬광; Park, Chan-Kwang; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 137 | Power Semiconductor Devices in Korea 김충기, Korea-Japan Joint Symposium on Electrical Material and Discharge, 1986 |
| 138 | Programmable controller 의 hardware module 에 관한 연구 = A study on hardware modules for a programmable controllerlink 김영헌; Kim, Yeong-Heon; 김충기; 변증남; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 139 | Programmable controller 의 software 와 programming device = Software and programming device for programmable controllerlink 김용수; Kim, Yong-Soo; 김충기; 변증남; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 140 | PtSi/p-Si schottky diode를 이용한 16 x 1 적외선 감지 line sensor의 simulation 및 제작 = Simulation and fabrication of a 16 x 1 IR line sensor with PtSi/p-Si schottky diodelink 문호영; Moon, Ho-Yeong; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 141 | Rapid Thermal Annealing System의 시험 제작 김충기, 대한전자공학회 반도체 및 CAD연구회,합동학술발표회, 1986 |
| 142 | Rapid Thermal Diffusion of Boron and Phosphorous into Silicon 김충기, International Conference on VLSI and CAD, 1991 |
| 143 | Rapid thermal diffusion of boron and phosphorus into silicon using solid diffusion sources = 고체 확산 Source 를 사용한 붕소와 인의 실리콘으로의 고속 열확산link Kim, Kyeong-Tae; 김경태; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 144 | Rapid thermal process 를 이용한 metal gate CMOS 의 공정 설계 = Design of metal gate CMOS processing using rapid thermal processlink 박성계; Park, Sung-Kye; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 145 | Rapid thermal process를 이용한 티타늄 실리사이드의 형성 및 그 응용 = Formation of titanium silicides by rapid thermal process and its applicationslink 장성진; Jang, Seong-Jin; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 146 | Readout 회로의 잡음 분석 및 저잡음 readout 회로 설계 김충기, 적외선 영상 센서 conference, pp.150 - 154, 1999 |
| 147 | Readout 회로의 잡음 분석과 개선을 위한 회로 제안 이희철; 김병혁; 김대기; 윤난영; 김충기, 제10회 적외선 영상센서 Conference, 1999 |
| 148 | Reliability study and effect of NH3 annealing on the electrical characteristics of polysilicon thin film transistors = 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 신뢰성 연구 및 암모니아 열처리가 전기적 특성에 미치는 영향link Choi, Duk-Sung; 최득성; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 149 | RTA 시스템에서의 wafer의 온도 simulation과 제어방법 김충기, 대한전자공학회 전기재료, 반도체 및 CAD 학술대회 논문집, 1987 |
| 150 | RTA 시스템에서의 온도제어와 웨이퍼상의 온도분포 Simulation 조병진; 김경태; 김충기, 전자공학회논문지, v.25, no.6, pp.57 - 63, 1988-06 |
| 151 | RTP 를 사용한 BN 고체 확산원으로부터의 얇은 p + n 접합형성 김충기, 대한전자공학회 전기재료, 반도체 및 CAD 학술대회 논문집, 1987 |
| 152 | SFTL 의 실현가능성에 관한 연구 = Feasibility study on substrate ded threshold logiclink 유근형; Yoo, Geun-Hyung; et al, 한국과학기술원, 1981 |
| 153 | Short-channel NMOS transistor 의 threshodk 전압과 punchthrough 전압의 감소에 관한 실험적 연구 = An experimental study on the threshold voltage and punchthrough voltage reduction in short-channel NMOS transistorslink 이원식; Lee, Won-Shik; et al, 한국과학기술원, 1981 |
| 154 | Silicon anodization 을 이용한 silicon 에서의 boron 과 arsenic diffusion profile 의 측정 = Measurements of diffusion profile of boron and arsenic in silicon by the silicon anodization methodlink 박형무; Park, Hyung-Moo; et al, 한국과학기술원, 1980 |
| 155 | SOI NMOSFET에서 Edge효과 감소를 위한 LOCOS공정 김충기, 한국반도체학술대회, pp.209 - 210, 1994 |
| 156 | STN 액정 표시기를 위한 active addressing 제어기의 설계 및 제작 = Design and implementation of active addressing controller for STN LCDlink 박성훈; Park, Sung-Hoon; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 157 | Study on the A/D conversion error due to capacitance error = 정전용량 오차가 아날로그 디지탈 변환오차에 미치는 영향link Lee, Yun-Tae; 이윤태; Kim, Choong-Ki; Kyung, Chong-Min; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 158 | Study on the degradation of electron and hole's surface mobility by $Si/SiO_2$ interface roughness = $Si/SiO_2$ 경계면의 surface roughness 에 의한 전자 및 정공의 표면 이동도 감소에 대한 연구link Sim, Sang-Pil; 심상필; Kim, Choong-Ki; Lee, Kwy-Ro; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 159 | Substrare fed threshold logic = Substrate fed threshold 논리에 관한 연구link Han, Chul-Hi; 한철희; Kim, Choong-Ki; Kwon, Young-Se; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 160 | Suppression of misfit dislocations in heavily boron-doped silicon layer for micro-machining = 마이크로-머시닝을 위한 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층의 부정합 전위의 억제link Lee, Ho-Jun; 이호준; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 161 | Surface treatment effects on the electrical properties of insulator/HgCdTe interface = 표면 처리가 절연막과 HgCdTe 간 계면의 전기적 특성에 미치는 영향link Lee, Seong-Hoon; 이성훈; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 162 | Surface treatment of HgCdTe in $H_2S$ gas for improving the HgCdTe/ZnS interface properties = HgCdTe/ZnS 계면특성 향상을 위한 $H_2S$ 가스에서의 HgCdTe 표면처리link Jeong, Jae-Hong; 정재홍; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 163 | TCE oxidation이 interface trap density 와 minority carrier generation lifetime 에 미치는 영향 = Effects of TCE oxidation on interface trap density and minority carrier generation lifetimelink 소순태; Soh, Sun-Tae; et al, 한국과학기술원, 1981 |
| 164 | TCE 가 실리콘 산화공정에 미치는 영향 = The effects of TCE on the silicon oxidation processlink 최태현; Choi, Tai-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1982 |
| 165 | (The) effect of $Si-SiO_2$ interface on the excess point defect distribution in silicon = $Si-SiO_2$ 경계면이 실리콘 내의 과포화 점결합 분포에 미치는 영향link Shin, Seung-Yun; 신윤승; et al, 한국과학기술원, 1984 |
