Browse "College of Engineering(공과대학)" by Type Thesis(Master)

Showing results 5941 to 5960 of 23954

5941
Economic evaluation of a new small-scale LNG supply chain using liquid nitrogen for natural-gas liquefaction = 액화질소를 이용한 새로운 소규모 액화천연가스 공급망의 경제성 평가link

Kim, Juwon; 김주원; et al, 한국과학기술원, 2016

5942
Economic evaluation of pressurized LNG supply chain = 고압 액화천연가스 공급망의 경제성 평가link

Lee, Sanghyuk; 이상혁; et al, 한국과학기술원, 2016

5943
Economic evaluation of ship-based korean CCS chain with availability = 가용도를 고려한 선박기반 한국형 CCS 체인의 경제성 평가link

Seo, Young-Kyun; 서영균; et al, 한국과학기술원, 2012

5944
Economic order quantity under trade-credit financing = 외상 구매하에서의 경제적 주문량link

Kim, Hong-Bae; 김홍배; Park, Kyung-Soo; Hwang, Hark; et al, 한국과학기술원, 1983

5945
ECR $N_2O$-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 온도 영향과 안정성 향상에 관한 연구 = Temperature effects and stability improvements in high performance poly-Si TFT with ECR $N_2O$-plasma gate oxidelink

이충헌; Lee, Chung-Heon; et al, 한국과학기술원, 1999

5946
ECR $N_2O$-플라즈마 산화 및 응용 = Ecr $N_2O$-plasma oxidation and its applicationslink

이진우; Lee, Jin-Woo; et al, 한국과학기술원, 1996

5947
ECR PECVD 법으로 제조된 AIN 박막의 C축 배향성에 관한 연구 = Preparation of C-axis oriented AIN thin films by ECR PECVD methodlink

장성수; Jang, Seong-Soo; et al, 한국과학기술원, 1995

5948
ECR PECVD법을 이용한 SiOF 박막의 증착 특성 및 유전율 안정화에 관한 연구 = A study on the deposition characteristics and the dielectric stability of the SiOF films deposited by ECR PECVDlink

변경문; Byun, Kyung-Mun; et al, 한국과학기술원, 1999

5949
ECR PECVD에 의한 다이아몬드 막의 식각특성에 관한 연구 = A study on the etching characteristics of diamond film by ECR PECVDlink

조두현; Cho, Du-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1999

5950
ECR 열산화막의 특성분석 및 다결정실리콘 박막트랜지스터에의 응용 = Characterization of ECR thermal oxide and its application to polysilicon TFT'slink

오길환; Oh, Kil-Hwan; et al, 한국과학기술원, 1993

5951
ECR 플라즈마 기상화학증착법에 의한 초고집적 회로의 기억소자용 탄탈륨 산화 박막의 제조 및 특성에 관한 연구 = A study on the tantalum oxide dielectric thin films for memory devices of ULSI by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor depositionlink

김종석; Kim, Jong-Seok; et al, 한국과학기술원, 1993

5952
ECR 플라즈마 산화를 이용한 하위 게이트 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characterization of bottom-gate poly-Si TFT using ECR plasma oxidationlink

한정인; Han, Jung-In; et al, 한국과학기술원, 1995

5953
ECR 플라즈마 화학 증착법에 의해 증착된 aluminum oxide 박막의 특성에 관한 연구 = A study on the properties of the aluminum oxide thin film deposited by ECR plasma CVDlink

정성웅; Chung, Sung-Woong; et al, 한국과학기술원, 1992

5954
ECR 플라즈마 화학증착법에 의해 제조된 PZT 박막의 미세구조에 관한 연구 = The study of the microstructure of the PZT thin film deposited by ECR PECVDlink

정수옥; Chung, Su-Ock; et al, 한국과학기술원, 1995

5955
ECR 플라즈마를 이용한 플라즈마 산화에 관한 연구 = A study on the plasma oxidation using electron cyclotron resonance plasmalink

안성덕; Ahn, Seong-Deok; et al, 한국과학기술원, 1994

5956
ECR-PECVD 법으로 증착된 $Al_2O_3$ 박막의 증착 특성에 관한 연구 = Deposition characteristics of the ECR-PECVD $Al_2O_3$ thin filmslink

이재균; Lee, Jae-Kuin; et al, 한국과학기술원, 1994

5957
ECR-PECVD 법으로 증착한 TiN 박막의 Cu에 대한 확산방지막 특성 = The barrier property of ECR-PECVD TiN film against Cu diffusionlink

이수정; Lee, Soo-Jeong; et al, 한국과학기술원, 1997

5958
ECR-PEMOCVD법으로 제조한 $SrTiO_3$ 박막의 단차 피복성에 관한 연구 = A study on the step coverage of $SrTiO_3$ thin films fabricated using ECR-PEMOCVDlink

박순연; Park, Soon-Yon; et al, 한국과학기술원, 2000

5959
ECR-플라즈마 화학 증착법에 의해 탄탈륨 산화 박막 제조시 증착 변수 및 열처리 조건이 증착층의 전기적 성질에 미치는 영향 = The effects of the deposition variable and annealing condition on the electrical properties of the Ta2O5 thin films deposited by ECR-PECVDlink

조복원; Cho, Bok-Won; et al, 한국과학기술원, 1994

5960
ED MOS 논리 LSI의 지연시간 모델링과 다지연 논리 시뮬레이터 = Delay time modeling for ED MOS logic LSI and multiple delay logic simulatorlink

김경호; Kim, Kyung-Ho; et al, 한국과학기술원, 1987

rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0