基板上に炭素ナノチューブを形成させる方法, これを利用した導線形成方法及びこれを利用したインダクター素子製造方法기판상에 탄소 나노 튜브를 형성시키는 방법, 이것을 이용한 도선 형성 방법 및 이것을 이용한 인덕터 소자 제조 방법
【要約】
【課題】本発明は素子製造方法を提供し、より詳しくは炭素ナノチューブを溝に満たして素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明による素子を製造する方法は、基板の上にモールドをパターニングする段階と、パターニングによって形成された溝及びモールド前面に炭素ナノチューブを塗布する段階と、モールド前面に塗布された炭素ナノチューブを溝に満たして入れる段階及びモールドを取り除く段階を含むことを特徴とする。
【選択図】図2
- Assignee
- KAIST
- Country
- JA (Japan)
- Application Date
- 2006-07-13
- Application Number
- 2006192551
- Registration Date
- 2009-07-31
- Registration Number
- 4350732
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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