DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 윤준보 | ko |
dc.contributor.author | 이병철 | ko |
dc.contributor.author | 이정언 | ko |
dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-19T08:02:47Z | - |
dc.date.available | 2022-12-19T08:02:47Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/303213 | - |
dc.description.abstract | 【要約】 【課題】本発明は素子製造方法を提供し、より詳しくは炭素ナノチューブを溝に満たして素子を製造する方法を提供する。 【解決手段】本発明による素子を製造する方法は、基板の上にモールドをパターニングする段階と、パターニングによって形成された溝及びモールド前面に炭素ナノチューブを塗布する段階と、モールド前面に塗布された炭素ナノチューブを溝に満たして入れる段階及びモールドを取り除く段階を含むことを特徴とする。 【選択図】図2 | - |
dc.title | 基板上に炭素ナノチューブを形成させる方法, これを利用した導線形成方法及びこれを利用したインダクター素子製造方法 | - |
dc.title.alternative | 기판상에 탄소 나노 튜브를 형성시키는 방법, 이것을 이용한 도선 형성 방법 및 이것을 이용한 인덕터 소자 제조 방법 | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 윤준보 | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이병철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이정언 | - |
dc.contributor.assignee | KAIST | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 2006192551 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 4350732 | - |
dc.date.application | 2006-07-13 | - |
dc.date.registration | 2009-07-31 | - |
dc.publisher.country | JA | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.