173 | ZnS/p-HgCdTe 의 계면 특성을 개선 시키기 위한 표면처리 김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관, HgCdTe 반도체 Conference, pp.369 - 386, 1992 |
174 | 결정방향과 수직전장에 따른 MOS 표면 전자이동도의 변화에 대한 연구 = A study on MOS surface electron mobility variation at high vertical field with crystal orientationlink 최주선; Choi, Joo-Sun; 이귀로; 김충기; et al, 한국과학기술원, 1989 |
175 | 고농도 BF2 이온 주입된 실리콘의 고속열처리 조병진; 김충기, 새물리, v.2, no.4, pp.407 - 412, 1989-11 |
176 | 고속 열처리(RTA)에 의한 Au/p-HgCdTe 의 접촉저항 감소 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.321 - 331, 1992 |
177 | 고속열처리(RTA)에 의한 Au/p-HgCdTe의 접촉 저항의 감소 이희철; 김성철; 정재홍; 김충기, 제 3회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.321 - 331, 1992 |
178 | 고속열확산 공정에 의해 형성된 Phosphorus Source/Drain 을 갖는 NMOS 트랜지스터의 특성 조병진; 김정규; 김충기, 전자공학회논문지, v.27, no.9, pp.1409 - 1418, 1990-09 |
179 | 고주파 CMOS IC를 사용하는 디지탈 보드에서의 ground bounce와 잡음 발생 = Ground bounce and noise generation in digital board using high speed CMOS IClink 김기상; Kim, Ki-Sang; 이귀로; 김충기; et al, 한국과학기술원, 1989 |
180 | 고해상도 투과성 Active-matrix LCD 를 위한 단결정 실리콘 기판의 연구 = Single crystal silicon substrates for high resolutin transmissive active-matrix LCDlink 윤준보; Yoon, Jun-Bo; et al, 한국과학기술원, 1995 |
181 | 고해상도 투과성 Active-Matrix LCD를 위한 단결정 실리콘 기판의 연구 윤준보; 이호준; 한철희; 김충기, 제 2 회 한국 반도체 학술대회, pp.313 - 314, 1995-02 |
182 | 광섬유 자이로스코프를 위한 새로운 디지털 신호처리방법 = A new digital signal processing method for fiber optical gyroscopelink 오형석; Oh, Hyoung-Seok; et al, 한국과학기술원, 2002 |
183 | 광전압형 HgCdTe 적외선 감지소자 제작 현황 및 문제점 김충기; 이희철; 정재홍; 정한; 김관; 송정섭, 제 2회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.267 - 292, 1991 |
184 | 구동력 계산법 및 H∞ 제어를 병용한 직접구동방식 머니퓰레이터의 궤적제어 김충기; 강봉수; 김수현; 곽윤근, 한국정밀공학회지, v.13, no.10, pp.123 - 129, 1996-10 |
185 | 국부적 발열 현상을 이용하여 트랜지스터의 출력전류를 증가시키는 어닐링 방법 최양규; 한준규; 박준영; 김충기 |
186 | 금속표면 특성에 따른 핵비등 열전달의 실험적 고찰 = An experimental study of the nucleate pool boiling on various surface characteristicslink 김충기; Kim, Choong-Ki; et al, 한국과학기술원, 1976 |
187 | 급속 열처리시 실리콘 웨이퍼의 온도분포와 슬립 현상의 해석 이혁; 유영돈; 엄윤용; 신현동; 김충기, 대한기계학회논문집 A, v.79, pp.609 - 620, 1992-04 |
188 | 다결정 실리콘 이중 전극 구조의 전하결합소자를 이용한 이차원 영상 감지소자의 설계 및 제작 : 전하이동 효율 = Design and fabrication of the area image sensor using charge-coupled device with double polycrystalline sillicon gates : charge-transfer efficiencylink 오춘식; Oh, Choon-Sik; et al, 한국과학기술원, 1982 |
189 | 다공질 실리콘 지지체를 적용한 마이크로 촉매 연소기 및그 제조 방법 권세진; 김충기; 진정근; 이성호 |
190 | 단순구조의 p-HgCdTe/n-HgCdTe 이중접합을 이용한 두가지 색(two color) 적외선 탐지소자 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, 1996 |
191 | 램프 가열 방식을 이용한 LPCVD 시스템의 설계 및 제작과 폴리 실리콘 증착 = Design and implementation of lamp-heated LPCVD system and poly-Si depositionlink 하용민; Ha, Yong-Min; et al, 한국과학기술원, 1990 |
192 | 램프 가열 방식의 LPCVD 장비의 설계 및 제작 김충기; 하용민; 김태성, 대한전기학회 추계학술대회, 1991 |
193 | 마이크로 머시닝을 이용한 RF용 집적 인덕터 윤준보; 한철희; 윤의식; 김충기, 제1회 MEMS 학술대회, pp.85 - 90, 1999-04 |
194 | 마이크로 머시닝을 이용한 RF용 집적 인덕터 Micromachined On-Chip Inductors for RF Applications 윤준보; 한철희; 윤의식; 김충기, 제1회 MEMS 학술대회, pp.85 - 90, 1999-04 |
195 | 마이크로 프로세서를 이용한 PWM 직류 서보 모터 속도 제어 장치에 관한 연구 = A study on a microprocessor-based PWM DC servo motor velocity controllerlink 김형일; Kim, Hyeong-Il; 김충기; 변증남; et al, 한국과학기술원, 1983 |
196 | 매몰된 Island 구조를 갖는 SOI MOSFET 소자의 제안 김충기, 대한전기학회 하계학술회의, 1992 |
197 | 메가비트디램을위한스마트캐패시터셀및그제조방법 이귀로; 김충기; 고요한 |
198 | 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법 윤준보; 윤의식; 김충기; 한철희, 2003-01-08 |
199 | 반도체 전력소자에서 에피층의 여유설계 방법 김충기; 서강덕, 대한전기학회 전기재료연구회 학술발표회, 1990 |
200 | 백금 실리사이드 쇼트키 다이오드를 이용한 16×1 적외선 line sensor의 설계 및 제작 = Design and fabrication of a 16×1 infrared line sensor with PtSi schottky diodelink 정재홍; Jeong, Jae-Hong; et al, 한국과학기술원, 1989 |
201 | 백금 실리사이드 적외선 감지 소자의 성능 향상을 위한 이온 주입에 의한 쇼트키 전위 장벽의 낮춤에 관한 연구 = Schottky barrier lowering by ion implantation for high performance PtSi schottky barrier infrared detectorlink 어익수; Eo, Ik-Soo; et al, 한국과학기술원, 1987 |
202 | 백금 실리사이드를 이용하는 쇼트키 다이오드 적외선 감지소자 = Platinum silicide schottky barrier IR detectorlink 박보연; Park, Bo-Youn; 김충기; 권영세; et al, 한국과학기술원, 1983 |
203 | 백금을 코팅한 다공성 마이크로 실리콘 촉매지지체의 제작과 연소특성 평가 김충기; 양계병; 권세진, 제35회 KOSCO SYMPOSIUM 논문집(2007년도 추계), pp.134 - 139, 한국연소학회, 2007-10-26 |
204 | 보호 Ring을 사용하여 부정합전위의 발생을 억제한 p/p + 실리콘 기판에 제작된 NMOSFET의 특성분석link 윤난영; Yoon, Nan-Young; et al, 한국과학기술원, 1995 |
205 | 부유 기판구조를 갖는 MOS 트랜지스터에서 게이트 전압에 의존하는 반전전하층의 길이를 보정하여 정확한 진성 이동도를 추출하는 방법 및 장치 최양규; 배학열; 김충기, 2016-12-01 |
206 | 불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기 정렬된 금속게이트 CMOS 구조 김충기, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1988 |
207 | 불순물 확산을 사용하는 CMOS 공정 = CMOS process using impurity diffusionlink 경기명; Kyung, Ki-Myung; et al, 한국과학기술원, 2000 |
208 | 비례적분제어회로를 이용한 펄스폭변조방식의 자동차용 CMOS 정전압원 집적회로의 설계 : 제 1부 비례 적분 제어 회로의 설계 = CMOS Voltage for automobile using proportional-integral control method with pulse width modulation : part Ⅰ proportional-integral control circuitlink 최상길; Choi, Sang-Gil; et al, 한국과학기술원, 1987 |
209 | 산화알미늄을 이용한 Charge coupled device split-electrode convolver 의 설계와 제작 = Charge coupled device split-electrode convolver using aluminum anodization methodlink 김오현; Kim, O-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1979 |
210 | 상위 게이트(Top gate) 다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 수소화 기구 김충기, 한국반도체학술대회, pp.431 - 432, 1994 |
211 | 새로운 電荷 結合 Analog-to-digital 變換機 = A new charge-coupled analog-to-digital converterlink 경종민; Kyung, Chong-Min; et al, 한국과학기술원, 1981 |
212 | 선형 어레이 적외선 감지소자의 Readout을 위한 SOI CMOS 회로의 설계 및 제작 = Design and fabrication of SOI CMOS circuits for the readout of linear IR detector arraylink 김준호; Kim, Joon-Ho; et al, 한국과학기술원, 1995 |
213 | 수소 plasma를 이용한 Hg0.22Cd0.78Te 적외선 감지소자의 특성 향상 이희철; 김영호; 배수호; 김충기, 응용물리, v.11, no.0, pp.159 - 162, 1998-12 |
214 | 수소 plasma를 이용한 Hg0.78Cd0.22Te 적외선 감지소자의 특성향상 이희철; 김영호; 배수호; 김충기, 제 8회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.71 - 75, 1997 |
215 | 수소 첨가 공정이 보론 확산에 미치는 영향에 관한 연구 = A study on the influence of hydrogen injection process on boron diffusionlink 차진종; Cha, Jin-Jong; et al, 한국과학기술원, 1982 |
216 | 신호취득 회로의 잡음 분석 및 저잡음 회로 설계 이희철; 김병혁; 김대기; 윤난영; 김충기, 새물리, v.41, no.4, pp.275 - 278, 2000-10 |
217 | 실리콘 산화과정에 대한 고찰 = A study on the oxidation process of siliconlink 최연익; Choi, Yearn-Ik; et al, 한국과학기술원, 1978 |
218 | 아날로그CMOS집적회로및그제조방법 이귀로; 김충기; 박영준 |
219 | 액정을 이용한 32x32 평판 표시기의 제작 경종민; 김정규; 김충기, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회 논문집, v.23, no.1, pp.92 - 94, 대한전자공학회, 1985 |
220 | 액정을 이용한 32x32 평판 표시기의 제작 = Fabrication of 32x32 flat panel display using liquid crystallink 김정규; Kim, Jeong-Gyoo; 경종민; 김충기; et al, 한국과학기술원, 1985 |
221 | 얇은 박막 SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET 에서의 소자 변수 추출 방법 김충기, 대한전기학회 하계학술회의, 1992 |
222 | 열영상 구현을 구한 Hg0.7Cd0.3Te 1*128 선행다소자 적외선 감지소자의 제작 이희철; 김영호; 이성훈; 김충기; 김흥국; 김재묵, 제 2회 한국반도체 학술대회, pp.413 - 414, 1995 |
223 | 열영상을 위한 Hg-.7Cd0.3Te 128x1 적외선 감지소자 어레이 및 실리콘 Readout 회로 제작 이희철; 이성훈; 윤난영; 배수호; 신형철; 김충기, 국방소재 학술대회, pp.47 - 60, 1996-11-01 |
224 | 열처리 조건에 따른 Implant된 HgCdTe의 접합특성 김충기; 정희찬; 정한; 이희철, 한국반도체학술대회, pp.371 - 372, 1994 |
225 | 열처리에 의한 HgCdTe 적외선 감지소자의 접합 특성 향상 이희철; 김관; 정희찬; 이성훈; 김영호; 박승만; 김충기, 한국응용물리학회지, v.8, no.9, pp.65 - 69, 1995-09 |
226 | 열처리에 의한 HgCdTe 적외선 감지소자의 접합특성 향상 이희철; 김관; 정희찬; 이성훈; 김영호; 박승만; 김충기, HgCdTe 반도체 Conference, pp.93 - 98, 1994-11-01 |
227 | 원자층 증착 방법을 이용한 일함수 조절 가능한 탄화티탄 박막 및 니켈 증착에 대한 연구 = Atomic layer deposition of workfunction-tunable Tic and nickel filmslink 김충기; Kim, Choong-Ki; et al, 한국과학기술원, 2014 |
228 | 유도 결합 플라즈마를 이용한 수소화가 Hg(0.7)Cd(0.3)Te 소자 특성에 미치는 영향 이성훈; 김영호; 김관; 이희철; 김충기, 새물리, v.9, pp.91 - 93, 1996-12 |
229 | 유도결합 플라즈마를 이용한 수소화가 Hg0.7Cd0.3Te 소자특성에 미치는 영향 이희철; 김충기; 이성훈; 김영호; 김관, 제 6회 HgCdTe 반도체 Conference, pp.115 - 119, 1995 |
230 | 이온 주입된 산소가 실리콘 박막의 결정화와 Polysilicon TFT에 미치는 영향 = Effects of implanted oxygen on the crystallization of silicon films and polysilicon TFT characteristicslink 이성훈; Lee, Seong-Hoon; et al, 한국과학기술원, 1993 |
231 | 이온 주입에 의한 트래쉬 홀드 전압 변화를 이용하는 씨모스 정 전압원 = CMOS voltage reference utilizing threshold voltage variation by ion implantationlink 조해석; Cho, Hae-Seok; 김충기; 경종민; et al, 한국과학기술원, 1985 |
232 | 이차원 불순물 분포의 도출 방법-이론 경종민; 김경태; 오춘식; 김충기, 대한전자공학회 하계종합학술대회, pp.11 - 13, 대한전자공학회, 1985 |