| 1 | $H_2/Ar/TiCl_4$ 및 $N_2/H_2/Ar/TiCl_4$ 유도결합 플라즈마 CVD 법에 의한 Ti 및 TiN 박막의 증착 특성 연구 = Investigation of the $H_2/Ar/TiCl_4$ and $N_2/H_2/Ar/TiCl_4$ inductively coupled plasma enhanced CVD system for the deposition of Ti and TiN filmslink 장성수; Jang, Seong-Soo; 이원종; Lee, Won-Jong, 한국과학기술원, 2001 |
| 2 | 화학증착법에 의해 제조된 나노 다층박막의 구조, 기계적 특성 및 절삭 성능에 미치는 영향 = Structural and mechanical properties of nano-multilayered CVD coatings and their influence on cutting performancelink 박근우; Park, Geun-Woo; 권혁상; Kwon, Hyuk-Sang, 한국과학기술원, 2007 |
| 3 | FRAM 소자 응용을 위한 ECR PECVD PZT 커패시터 특성에 미치는 전극의 영향 = Effect of electrodes on the characteristics of ECR PECVD PZT capacitors for the application to FRAM deviceslink 이희철; Lee, Hee-Chul; 이원종; Lee, Won-Jong, 한국과학기술원, 2002 |
| 4 | Kinetic model for cavity filling in CECVD of copper = 촉매 처리에 의한 구리 CECVD의 cavity filling 현상에 관한 모델link Lee, Hyun-Bae; 이현배; Kang, Sang-Won; 강상원, 한국과학기술원, 2005 |
| 5 | Charge-related deposition phenomena in silicon CVD = 실리콘 CVD에서 charge에 관련된 증착 현상link Cheong, Woo-Seock; 정우석; Yoon, Duk-Yong; 윤덕용, 한국과학기술원, 1998 |
| 6 | 화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 전기적 특성 = Electrical properties of chemical vapor deposited polycrystalline diamond thin filmslink 이범주; Lee, Bum-Joo; 안병태; Ahn, Byung-Tae, 한국과학기술원, 1999 |
| 7 | Characterization of mechanical properties of chemical vapor deposited SiC by instrumented indentation technique = 나노인덴테이션 기법을 활용한 화학기상 증착 탄화규소의 역학특성 분석 연구link Jong-Ho Kim; 김종호; Kim, Do-Kyung; 김도경, 한국과학기술원, 2008 |
| 8 | Ru 전구체의 열분해 메카니즘과 Ru 박막의 화학기상 증착 = Thermal decomposition mechanism of Ru precursor and chemical vapor deposition of Ru filmslink 최종완; Choi, Jong-Wan; 노광수; No, Kwang-Soo, 한국과학기술원, 2004 |
| 9 | 화학증착법으로 제조한 다이아몬드막에서의 잔류응력에 관한 연구 = A study of residual stresses on CVD diamond filmslink 김정근; Kim, Jung-Geun; 유진; Yu, Jin, 한국과학기술원, 1998 |
