자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 나노선 채널로의 전압 인가, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가 또는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가를 통해 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 한다.