자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터SEPARATED DOUBLE-GATE TRANSISTOR WITH SELF-DESTRUCTION AND PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 유지만 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-02-19T03:01:00Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-19T03:01:00Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/318106 | - |
| dc.description.abstract | 자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 나노선 채널로의 전압 인가, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가 또는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가를 통해 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | SEPARATED DOUBLE-GATE TRANSISTOR WITH SELF-DESTRUCTION AND PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유지만 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0177214 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2453989-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-12-17 | - |
| dc.date.registration | 2022-10-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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