쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템A CHARGE TRAP BASED NEUROMORPHIC SYNAPTIC TRANSISTOR WITH IMPROVED LINEARITY AND SYMMETRICITY BY SCHOTTKY JUNCTIONS, AND a neuromorphic system using it
쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자는 반도체 기판 상에 형성된 바디층; 상기 바디층 좌우 또는 상하에 형성되는 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인과 접합하여 쇼트키 접합을 형성하는 컨택 메탈; 상기 바디층 상에 형성되며, 산화막 및 전하 저장층을 포함하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-11-24
- Application Number
- 10-2020-0158527
- Registration Date
- 2022-04-12
- Registration Number
- 10-2387120-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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