쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템A CHARGE TRAP BASED NEUROMORPHIC SYNAPTIC TRANSISTOR WITH IMPROVED LINEARITY AND SYMMETRICITY BY SCHOTTKY JUNCTIONS, AND a neuromorphic system using it
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 한준규 | ko |
| dc.contributor.author | 이건범 | ko |
| dc.contributor.author | 김진기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-04-20T01:00:50Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-20T01:00:50Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/295214 | - |
| dc.description.abstract | 쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자는 반도체 기판 상에 형성된 바디층; 상기 바디층 좌우 또는 상하에 형성되는 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인과 접합하여 쇼트키 접합을 형성하는 컨택 메탈; 상기 바디층 상에 형성되며, 산화막 및 전하 저장층을 포함하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트를 포함한다. | - |
| dc.title | 쇼트키 접합을 이용한 고선형성 및 고대칭성 차지 트랩 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템 | - |
| dc.title.alternative | A CHARGE TRAP BASED NEUROMORPHIC SYNAPTIC TRANSISTOR WITH IMPROVED LINEARITY AND SYMMETRICITY BY SCHOTTKY JUNCTIONS, AND a neuromorphic system using it | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한준규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김진기 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0158527 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2387120-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-11-24 | - |
| dc.date.registration | 2022-04-12 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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