게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN MOSFET
게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 열처리 방법은 트랜지스터의 열처리 방법에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 복구 전압을 인가하는 단계; 상기 복구 전압을 이용하여 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 게이트-유발 드레인 누설 전류(GIDL; gate-induced drain leakage)를 생성하는 단계; 및 상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2019-08-07
- Application Number
- 10-2019-0096111
- Registration Date
- 2020-09-23
- Registration Number
- 10-2161383-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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