게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN MOSFET
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.contributor.author | 윤대환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-12-04T07:30:32Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-04T07:30:32Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/278087 | - |
| dc.description.abstract | 게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 열처리 방법은 트랜지스터의 열처리 방법에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 복구 전압을 인가하는 단계; 상기 복구 전압을 이용하여 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 게이트-유발 드레인 누설 전류(GIDL; gate-induced drain leakage)를 생성하는 단계; 및 상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법 | - |
| dc.title.alternative | THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN MOSFET | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박준영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤대환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0096111 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2161383-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-08-07 | - |
| dc.date.registration | 2020-09-23 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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