게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법THE LOCAL THERMAL ANNEALING METHOD FOR CURING OF GATE OXIDE DAMAGE UTILIZING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN MOSFET
게이트-유발 드레인 누설 전류를 활용한 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 치유하는 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 열처리 방법은 트랜지스터의 열처리 방법에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 복구 전압을 인가하는 단계; 상기 복구 전압을 이용하여 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 게이트-유발 드레인 누설 전류(GIDL; gate-induced drain leakage)를 생성하는 단계; 및 상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계를 포함한다.