본 발명에 따른 다중 비트 커패시터리스 디램은 기판, 기판상에 형성된 소스 및 드레인, 기판상에 형성된 복수의 나노와이어 채널, 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하고, 복수의 나노와이어 채널 중 2개 이상의 나노와이어 채널은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 각각의 나노와이어 채널은, 실리콘층, 실리콘층을 둘러싸며 형성된 제1 에피택셜층 및 제1 에피택셜층을 둘러싸며 형성된 제2 에피택셜층을 포함한다. 이에 의하여, 다중 비트로 동작할 수 있는 고집적도의 다중 비트 커패시터리스 디램을 구현하되, 에너지 밴드갭을 이용하여 초과 정공의 축적 성능을 향상시킬 수 있다.