문턱전압 조정이 가능한 전계효과 트랜지스터 제어장치

Abstract

본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 제어장치는, 전계효과 트랜지스터 및 컨트롤러를 포함하고, 전계효과 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 및, 채널 상에 형성된 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하고, 컨트롤러는 상기 채널의 위치, 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전압 및 상기 제2 게이트 전극에 인가되는 전압 중 적어도 하나를 조절하여 상기 전계효과 트랜지스터의 문턱전압을 조절한다. 이에 의하여, 게이트 전극 내에서 발생하는 전위분포를 활용하여 문턱전압을 자유롭게 조정할 수 있기 때문에, 다양한 문턱전압을 가진 트랜지스터를 구현할 수 있다. 아울러, 문턱전압 조정 과정에서 트랜지스터의 누설전류가 증가하거나 동작전류의 특성이 저하되는 일 없이, 게이트 전극 내에서 발생하는 전위분포를 활용하기 때문에, 플로팅 바디 구조의 차세대 트랜지스터에도 적용이 가능하며, 반도체 공정을 간소화시켜 생산비용이 절감된다.