문턱전압 조정이 가능한 전계효과 트랜지스터 제어장치FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONTROLLING APPARATUS BEING CAPABLE OF CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.contributor.author | 전창훈 | ko |
| dc.contributor.author | 배학열 | ko |
| dc.contributor.author | 이건범 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:36:09Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:36:09Z | - |
| dc.date.issued | 2018-02-28 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256741 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 제어장치는, 전계효과 트랜지스터 및 컨트롤러를 포함하고, 전계효과 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 및, 채널 상에 형성된 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하고, 컨트롤러는 상기 채널의 위치, 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전압 및 상기 제2 게이트 전극에 인가되는 전압 중 적어도 하나를 조절하여 상기 전계효과 트랜지스터의 문턱전압을 조절한다. 이에 의하여, 게이트 전극 내에서 발생하는 전위분포를 활용하여 문턱전압을 자유롭게 조정할 수 있기 때문에, 다양한 문턱전압을 가진 트랜지스터를 구현할 수 있다. 아울러, 문턱전압 조정 과정에서 트랜지스터의 누설전류가 증가하거나 동작전류의 특성이 저하되는 일 없이, 게이트 전극 내에서 발생하는 전위분포를 활용하기 때문에, 플로팅 바디 구조의 차세대 트랜지스터에도 적용이 가능하며, 반도체 공정을 간소화시켜 생산비용이 절감된다. | - |
| dc.title | 문턱전압 조정이 가능한 전계효과 트랜지스터 제어장치 | - |
| dc.title.alternative | FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONTROLLING APPARATUS BEING CAPABLE OF CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 전창훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이건범 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0091492 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1835613-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-07-19 | - |
| dc.date.registration | 2018-02-28 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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