복수의 나노와이어를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A PLURALITY OF NANO-WIRES AND FABRICATION METHOD THEREOF
본 발명에 따른 터널링 전계효과 트랜지스터는, 기판, 기판상에 형성되고, p+형 불순물 이온이 주입된 소스, 기판상에 형성되고, n+형 불순물 이온이 주입된 드레인, 기판상에 형성된 복수의 수직 적층형 나노와이어 채널, 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함한다. 이에 의하여, 게이트 길이와 채널의 면적(집적도)을 변화시키지 않고도 더 높은 구동전류를 구현할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-03-09
- Application Date
- 2015-12-30
- Application Number
- 10-2015-0189480
- Registration Date
- 2018-03-09
- Registration Number
- 10-1838913-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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