복수의 나노와이어를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A PLURALITY OF NANO-WIRES AND FABRICATION METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 박준영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:34:38Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:34:38Z | - |
| dc.date.issued | 2018-03-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256701 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 터널링 전계효과 트랜지스터는, 기판, 기판상에 형성되고, p+형 불순물 이온이 주입된 소스, 기판상에 형성되고, n+형 불순물 이온이 주입된 드레인, 기판상에 형성된 복수의 수직 적층형 나노와이어 채널, 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함한다. 이에 의하여, 게이트 길이와 채널의 면적(집적도)을 변화시키지 않고도 더 높은 구동전류를 구현할 수 있다. | - |
| dc.title | 복수의 나노와이어를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A PLURALITY OF NANO-WIRES AND FABRICATION METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0189480 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1838913-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-12-30 | - |
| dc.date.registration | 2018-03-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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