저전력 고속 반도체 소자(LOW POWER HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICE)
본 발명은 저전력 고속 반도체 소자에 관한 것으로서, 서브쓰레숄드(subthreshold)에서 동작하는 반도체 소자에서 소자의 몸체전압을 슬립모드(sleep-mode) 구조로 조절하여 소자의 문턱전압(threshold voltage)을 조절함으로써 보통은 높은 문턱전압 상태에 있다가 버스트모드(burst mode) 동작 시 문턱전압을 낮추어 서브쓰레숄드 드레인 전류를 지수 함수적으로 증가시켜 에너지 소모를 증가시키지 않고 높은 속도를 얻을 수 있는 이점이 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2007-01-05
- Application Date
- 2005-07-25
- Application Number
- 10-2005-0067138
- Registration Date
- 2007-01-05
- Registration Number
- 10-0667956-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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