저전력 고속 반도체 소자(LOW POWER HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICE)
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 홍성철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:34:42Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:34:42Z | - |
| dc.date.issued | 2007-01-05 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236007 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저전력 고속 반도체 소자에 관한 것으로서, 서브쓰레숄드(subthreshold)에서 동작하는 반도체 소자에서 소자의 몸체전압을 슬립모드(sleep-mode) 구조로 조절하여 소자의 문턱전압(threshold voltage)을 조절함으로써 보통은 높은 문턱전압 상태에 있다가 버스트모드(burst mode) 동작 시 문턱전압을 낮추어 서브쓰레숄드 드레인 전류를 지수 함수적으로 증가시켜 에너지 소모를 증가시키지 않고 높은 속도를 얻을 수 있는 이점이 있다. | - |
| dc.title | 저전력 고속 반도체 소자 | - |
| dc.title.alternative | (LOW POWER HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICE) | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 홍성철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2005-0067138 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0667956-0000 | - |
| dc.date.application | 2005-07-25 | - |
| dc.date.registration | 2007-01-05 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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