반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법Method of Forming on Predetermined Area of Substrate with Grown Carbon Nanotube, and Method of Forming Semiconductor Metal Wire and Inductor by Using The Same
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계; 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계; 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계; 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다. 탄소나노튜브, CNT, 반도체 소자 제조방법
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2006-12-22
- Application Date
- 2005-08-31
- Application Number
- 10-2005-0080632
- Registration Date
- 2006-12-22
- Registration Number
- 10-0663076-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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