비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판에 이격되어 형성된 소오스와 드레인, 소오스와 드레인 사이의 채널 상에서 기판에 대하여 수직으로 형성되어, 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들을 포함하는 메모리셀 및 메모리셀 상에 형성되어 채널로부터 메모리셀로 유입되는 전하량을 조절하는 게이트를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 보존시간을 증가시켜 전하저장능력이 개선된 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.탄소나노튜브, 전하저장지역, 비휘발성 메모리 소자, 축합반응