비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김국환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T09:08:18Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T09:08:18Z | - |
| dc.date.issued | 2008-06-26 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232070 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판에 이격되어 형성된 소오스와 드레인, 소오스와 드레인 사이의 채널 상에서 기판에 대하여 수직으로 형성되어, 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들을 포함하는 메모리셀 및 메모리셀 상에 형성되어 채널로부터 메모리셀로 유입되는 전하량을 조절하는 게이트를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 보존시간을 증가시켜 전하저장능력이 개선된 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.탄소나노튜브, 전하저장지역, 비휘발성 메모리 소자, 축합반응 | - |
| dc.title | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김국환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0119559 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0843336-0000 | - |
| dc.date.application | 2006-11-30 | - |
| dc.date.registration | 2008-06-26 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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