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(A) fast programmable high precision nonvolatile analog memory for VLSI neural network = VLSI 신경회로망을 위한 고속 정밀 비휘발성 아날로그 기억소자link Kim, Kyu-Hyoun; 김규현; et al, 한국과학기술원, 1998 |
Application of ZnO nanocrystals as a nonvolatile memory = ZnO 나노결정을 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 특성 평가link Yoon, Tae-Eung; 윤태응; et al, 한국과학기술원, 2007 |
Temperature dependent universal mobility modeling and ECR plasma nitridation of Si for fast EEPROM = 온도 의존성을 갖는 전자 및 정공의 이동도 모델과 고속 EEPROM을 위한 ECR 플라즈마 질화 절연막에 대한 연구link Min, Kyeong-Sik; 민경식; et al, 한국과학기술원, 1997 |
차세대 비휘발성 메모리 응용을 위한 비정질 실리콘 박막 및 전극 구조 개발 = Development of silicon thin film and electrode structure for application of advanced non-volatile memorylink 서중원; Seo, Jung-Won; et al, 한국과학기술원, 2005 |
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