Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 안현준

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Atomic layer deposition of nickel and nickel germanide for next generation 3D devices = 차세대 3D 반도체 소자 적용을 위한 니켈의 원자층 증착 방법 공정 개발 및 니켈-저마나이드 형성link

Ahn, Hyun Jun; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2020

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Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2

신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

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Investigation of ALD-Ni as P type Work function Metal Electrode on High-k dielectrics

안현준; 문정민; 김용준; 노일철; 김춘환; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-14

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Leakage current Improvement of Anti-ferroelectric capacitor with Bottom electrode annealing

이승환; 김성호; 안현준; 김태호; 신성원; 조병진, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

5
Low Resistance ALD-NiGe Contact with Phosphorus Segregation on n-Type Germanium

안현준; 문정민; 이태인; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-07

6
Metal/Al2O3/GeO2/Ge 구조의 열처리에 따른 유효 일함수에 대한 연구

이태인; 서유진; 문정민; 안현준; 유현영; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15

7
Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation

이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14

8
Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

조병진; 안현준; 문정민, 2016-09-20

9
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack

이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

10
Work Function Tuning of Titanium Nitride Gate Electrode Employing Atomic Layer Deposition for PMOS Devices

문정민; 안현준; 노일철; 김춘환; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-14

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Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조

이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15

12
반도체 소자, 그의 제조 방법, 및 이를 구비하는 반도체 장치

조병진; 안현준; 문정민

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순환신경망을 이용한 도플러 채널 예측

조선영; 손지용; 한동준; 문재균; 안현준, 한국통신학회논문지, v.43, no.4, pp.629 - 636, 2018-04

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원자층 증착 방법을 이용한 낮은 일함수를 갖는 탄화에르븀 박막 증착 및 에르븀저마나이드 형성에 대한 연구 = Atomic layer deposition of erbium carbide film for n-type workfunction metal and erbium germanide

안현준; Ahn, Hyunjun; et al, 한국과학기술원, 2015

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