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Browse "Dept. of Materials Science and Engineering(신소재공학과)" by Subject 박막트랜지스터

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1
(A) transmission electron microscopy study on the crystallization of low pressure chemical vapor deposition amorphous silicon thin films = 저압화학증착된 비정질 실리콘 박막의 결정화에 관한 투과전자현미경 연구link

Kim, Jin-Hyeok; 김진혁; et al, 한국과학기술원, 1996

2
Characterization of acceptor-doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ thin films as gate insulators for low voltage operating thin film transistors fabricated at room temperature = 저전압 구동 상온 공정 박막트랜지스터를 위한 게이트 절연막으로서 억셉터가 도핑된 $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ 박막에 관한 연구link

Kang, Kyong-Tae; 강경태; et al, 한국과학기술원, 2007

3
Fabrication and characterization of ZnO-based oxide thin film transistors by solution process = 솔루션 방법을 이용한 산화 아연 기반의 박막 트랜지스터 제조 및 특성 평가link

Hwang, Soo-Yeon; 황수연; et al, 한국과학기술원, 2010

4
Hot-Wire CVD 방법을 이용한 (100) Si과 다결정 Si 씨앗층에서의 저온 에피택셜 Si 성장에 관한 연구 = low-temperature growth of epitaxial Si on (100) Si and poly-Si seed layer using hot-wire CVDlink

이승렬; Lee, Seung-Ryul; et al, 한국과학기술원, 2008

5
$NiCl_2$ 및 마이크로웨이브 가열을 이용한 비정질 Si 박막의 저온결정화에 관한 연구 = Low temperature crystallization amorphous Si thin films using $NiCl_2$ and microwave heatinglink

안진형; Ahn, Jin-Hyung; et al, 한국과학기술원, 2002

6
Room temperature fabricated ZnO thin film transistors with high-k $(Bi_1.5_}Zn_{1.0}Nb_{1.5}O_7)_{0.7}(MgO)_{0.3}$ gate insulators = 고유전$(Bi_1.5_}Zn_{1.0}Nb_{1.5}O_7)_{0.7}(MgO)_{0.3}$ 게이트 절연막을 이용하여 상온에서 제작된 ZnO 박막 트랜지스터에 관한 연구link

Cho, Nam-Gyu; 조남규; et al, 한국과학기술원, 2008

7
고온열처리가 측면고상결정화시킨 다결정 Si 박막의 미세구조와 박막트랜지스터 특성에 미치는 영향 연구 = Effect of high-temperature annealing on the microstructure of polycrystalline Si films crystallized by lateral growth and its effect on TFT characteriscslink

이계웅; Lee, Kye-Ung; et al, 한국과학기술원, 2003

8
금속유도성장법과 기상유도결정화법을 이용한 저온 다결정 Si 박막 제조에 관한 연구 = Low temperature fabrication of poly-Si film by metal-induced growth and vapor-induced crystallizationlink

안경민; Ahn, Kyung-Min; et al, 한국과학기술원, 2011

9
기상유도결정화 및 RTA 공정에 의한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터 특성에 관한 연구 = Fabrication of polycrystalline Si films by vapor-induced crystallization and rapid thermal annealing process and characterization of polycrystalline Si thin film transistorslink

양용호; Yang, Yong-Ho; et al, 한국과학기술원, 2011

10
기상유도결정화법에 의한 비정질 Si 박막의 저온결정화와 다결정 Si 박막트랜지스터에의 응용에 관한 연구 = Low temperature crystallization of amorphous Si thin films using vapor-induced crystallization and its application to polycrystalline Si thin film transistorslink

엄지혜; Eom, Ji-Hye; et al, 한국과학기술원, 2005

11
스핀코팅 방법으로 합성된 구리산화물 박막의 구조적 특성 연구와 박막트랜지스터 제조 = Structural characterization and TFT application of copper oxide thin films synthesized by spin coatinglink

김상윤; Kim, Sang-Yun; et al, 한국과학기술원, 2012

12
저온 열처리 공정에 의한 LCD-TFT용 poly-Si 박막의 제조에 관한 연구 = A study on the fabrication of poly-Si films for LCD-TFT by low-temperature annealing processlink

김해열; Kim, Hae-Yeol; et al, 한국과학기술원, 2000

13
저온 유도결합 플라즈마 산화에 의한 $Si/SiO_2$ 계면 특성과 박막트랜지스터 특성 변화 연구 = Effects of low-temperature inductively-coupled plasma oxidation on the characteristics of $Si/SiO_2$ interface and thin film transistorslink

김보현; Kim, Bo-Hyun; et al, 한국과학기술원, 2004

14
플렉서블 디스플레이 구현을 위한 레이저 박리 기술 개발 = Laser lift-off technelogy for realization of flexible displaylink

이환건; Lee, Hwan-Keon; et al, 한국과학기술원, 2014

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