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R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시법을 이용한 산화아연 박막의 성장 및 특성평가 한석규; 홍순구; 이정용; 이재욱, 전기전자재료학회논문지, v.19, no.10, pp.923 - 929, 2006-10 |
The effect of ZnO homo-buffer layer on ZnO thin films grown on c-Al2O3(0001) by plasma assisted molecular beam epitaxy Jung, Yeon Sik; No, YS; Kim, JS; Choi, WK, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v.267, pp.85 - 91, 2004-06 |
Two-dimensional growth of ZnO epitaxial films on c-Al2O3(0001) substrates with optimized growth temperature and low-temperature buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy Jung, Yeon Sik; Kononenko, O; Kim, JS; Choi, WK, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v.274, pp.418 - 424, 2005-02 |
분자선 에피탁시로 InP기판위에 성장된 InGaAs와 InAlAs에피층들에서의 상분리현상 및 결정학적 품위에 관한 연구 = Phase separation and crystalline quality in InGaAs and InAlAs layers grown on InP substrate by MBElink 최정식; Choi, Jung-Sik; et al, 한국과학기술원, 1997 |
얇은AlSb 완충층을 사용한 GaSb/ Si(001) 박막평가 노영균; 김문덕; 권영진; 김송강; 김영헌; 박세린; 오재응; et al, 새물리, v.53, no.1, pp.34 - 38, 2006-07 |
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