얇은AlSb 완충층을 사용한 GaSb/ Si(001) 박막평가

Abstract

Molecular Beam Epitaxy 법을 이용하여 Si(001) 기판 위에 저온에서 성장된 얇은 AlSb 완충층을 사용하여 GaSb박막을 성장하였다. AlSb 완충층의 표면 및 격자상수 변화와 성장된 GaSb 박막의 결정성을 평가하기 위하여 reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscope, high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscope를 각각 사용하였다. AlSb 완충층 없이 직접 GaSb박막을 성장하였을 때 3차원 성장을 보였지만 저온의 얇은 AlSb 완충층을 사용하였을 때 Si과 GaSb의 접합계면에서의 결함을 줄여주어 GaSb 박막의 결정성 향상에 기여함을 확인하였다. 초기 성장 시 Si(001)위에 Sb 흡착을 했을 때가 안 했을 때 보다 GaSb 박막의 결정성이 더 좋음을 아울러 확인하였다.