| 1 | 3％ Si-Fe single crystal 자화시 방출되는 음파 측정 = Acoustic emission during magnetization in 3％ Si-Fe single crystallink 김철기; Kim, Cheol-Gi; 김호철; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 2 | (A) study of the random walk problem on 2-dimensional fractal structures = 이차원 프락탈구조위에서의 멋대로 걷기 문제에 대한 연구link Kim, Gi-Ok; 김기옥; Kim, Jong-Jean; Lee, Choo-Chon; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 3 | a-Si:H 박막 트랜지스터에서의 전하 트래핑 효과 = Charge trapping effects in hydrogenated amorphous silicon thin-film transistorslink 허준; Huh, Joon; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 4 | a-Si:H 박막에 강한 전장이 걸릴 때 Ⅰ-Ⅴ 특성과 그 응용 = High-field Ⅰ-Ⅴ characteristics of a-Si:H films and their applicationslink 배병성; Bae, Byung-Seong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 5 | a-Si:H 에서 온도변화에 따른 광여기효과 연구 = A study on temperature dependence of light induced effect in hydrogenated amorphous silicon by photoluminescence fatiguelink 박철홍; Pak, Chul-Hong; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 6 | a-Si:H 에서 정상상태 포토루미네선스의 온도 의존성에 관한 연구 = Temperature dependence of steady state photoluminescence in hydrogenated amorphous siliconlink 한정균; Han, Jeong-Kyun; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 7 | a-SiGe:H:F와 A-SiGe:H 합금의 전기적 광학적 구조적 특성 = Structural, optical and electrical properties of a-SiGe:H:F and a-SiGe:H alloyslink 이정영; Lee, Jeong-Young; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 8 | Amorphous silicon schottky barrier solar cellslink Kang, Joon-Hee; 강준희; et al, 한국과학기술원, 1979 |
| 9 | B-doped a-Si:H 의 조광에 의한 전기전도도 변화에 대한 연구 = Light-induced conductivity change in B-doped hydrogenated amorphous siliconlink 박경룡; Park, Gyeong-Lyong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 10 | Channel density of states and electrical characteristics in undoped poly-Si thin-film transistors = 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 채널 상태밀도와 전기적 특성에 관한 연구link Kong, Hyang-Shik; 공향식; Shin, Sung-Chul; Lee, Choo-Chon; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 11 | Characterization of silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor transistors = 에스오아이 금속-산화막-반도체 트랜지스터의 특성 분석link Lyu, Jong-Son; 유종선; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 12 | Characterizations of GaAs/AlAs superlattices and delta-doped epi-layers grown by MOCVD = MOCVD 로 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 delta doping 한 에피층의 특성연구link Kim, Yong; 김용; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 13 | Defect generation in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 결함 생성에 관한 연구link Jang, Yong-Ho; 장용호; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 14 | Defect states in hydrogenated GaAs : metastability of deep levels = 수소화된 갈륨비소에서의 결함 상태 : 깊은 준위 결함의 준안정성link Cho, Hoon-Young; 조훈영; Lee, Choo-Chon; Chang, Kee-Joo; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 15 | Density of states for a disordered systemlink Chung, Moon-Sung; 정문성; et al, 한국과학기술원, 1978 |
| 16 | Dispersive charge transport studies in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 전하 분산수송에 관한 연구link Yoon, Jong-Hwan; 윤종환; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 17 | ECR (electron cyclotron resonance) -PECVD 방법으로 증착한 미세결정 규소박막의 특성에 관한 연구 = Characteristics of microcrystalline silicon prepared by ECR-PECVDlink 김철세; Kim, Cheol-Se; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 18 | Effects of temperature shift of fermi level on the conductances in hydrogenated amorphous silicon = Fermi 준위의 온도이동이 비정질 규소의 전기전도도에 미치는 영향link Yoon, Byung-Gook; 윤병국; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 19 | Elctronical conduction in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 전기전도도에 관한 연구link Jang, Jin; 장진; et al, 한국과학기술원, 1982 |
| 20 | Electronic properties of amorphous silicon schottky barrier solar cellslink Choi, Jung-Bum; 최중범; et al, 한국과학기술원, 1981 |
| 21 | $Fe^{4+}$ impurity-$O^2$-vacancy complex $(Fe^{4+}-V)$가 환원시킨 $SrTiO_3$의 광흡수에 미치는 영향 = $Fe^{4+}$ impurity-$O^2$-vacancy complex $(Fe^{4+}-V)$contribution to the optical absorption in reduced $SrTiO_3$link 이호근; Lee, Ho-Keun; et al, 한국과학기술원, 1977 |
| 22 | Gate bias induced degradation in hydrogenated amorphous silicon thin film transistors = 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에서 게이트 바이어스에 의해 생성되는 열화현상에 대한 연구link Hwang, Chi-Sun; 황치선; Shin, Sung-Chul; Lee, Choo-Chon; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 23 | Growth mechanism of polycrystalline silicon using silane gases by LPCVD = 사일렌 가스를 사용하여 저압화학증착법으로 증착한 다결정 실리콘의 성장에 관한 연구link Wee, Hae-Sung; 위해성; Shin, Sung-Chul; Lee, Choo-Chon; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 24 | Heteroepitaxy and characterization on InxGa1-xAs(x<0.03)/GaAs and GaAs/Si = InxGa1-xAs(x<0.03)/GaAs/Si 구조의 이종에피 성장과 특성측정link Kim, Hyeon-Soo; 김현수; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 25 | HI-LO 도핑구조로 제작된 InP/InGaAs 애벌랜치 포토다이오드의 이득특성에 관한 연구 = Gain characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiode fabricated by HI-LO doping structurelink 박찬용; Park, Chan-Yong; 이주천; 이용희; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 26 | KDP 결정의 동적인 상태에서의 비선형 동역학 = Nonlinear dynamics in KDP crystal at dynamic statelink 유한성; Yoo, Han-Seong; 김종진; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 27 | Light and thermally induced metastabilities in doped amorphous silicon films = 도핑된 비정질 규소에서의 빛과 열에 의한 준안정 상태 연구link Hyun, Kyung-Sook; 현경숙; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 28 | LPCVD 방법으로 증착한 비정질 실리콘 박막의 다결정화에 관한 연구 = Solid phase crystallization of amorphous silicon films deposited by LPCVDlink 이욱형; Lee, Wook-Hyoung; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 29 | Metastabilities in doping-modulated amorphous silicon superlattices = 비정질 규소 초격자 시료의 준안정성에 관한 연구link Yoo, Byueng-Su; 유병수; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 30 | Metastable effects in hydrogeneated amorphous silicon based superlattices = 수소화된 비정질 규소계 초격자에서의 준안정성 효과에 관한 연구link Song, Yoon-Ho; 송윤호; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 31 | Microwave-PCVD 방법으로 증착한 수소화된 비정질 규소 박막의 수소 희석에 관한 연구 = The effects of $H_2$ dilution on the a-Si:H films fabricated by microwave-PCVDlink 이경언; Lee, Gyung-Eon; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 32 | MOCVD 방법에 의한 GaAs/AlGaAs DH laser diode 의 제작 및 발진특성 : DH laser 의 횡모드 거동에 관한 연구 = The fabrication of GaAs/AlGaAs DH laser diode grwon by MOCVD method and its lasing characteristics : a study on the lateral mode behaviorlink 김성일; Kim, Seong-Il; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 33 | Nonequilibrium steady-state transport in hydragenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 비평형 정상상태 전하 수송에 관한 연구link Yoon, Jung-Kee; 윤정기; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 34 | p-i-n 형 비정질 규소 태양전지의 효율에 관한 연구 = Conversion efficiency of p-i-n amorphous silicon solar cellslink 윤정기; Yoon, Jung-Kee; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 35 | Persistent photoconductivity in unlayered films and doping-modulated superlattices of hydrogenatedamorphous silicon = 단층박막 및 초격자 비정질규소의 잔류 광전기 전도도에 관한 연구link Choi, Suk-Ho; 최석호; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 36 | Photo-CVD로 제작한 수소화된 비정질 실리콘의 특성에 관한 연구 = Characteristics of hydrogenated amorphous silicon prepared by photo-CVDlink 위해성; Wee, Hae-Sung; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 37 | Physical properties and thermal stabilities of tungsten nitride diffusion barrier produced by plasma enhanced chemical vapor deposition = 플라즈마 화학 증착된 질화 텅스텐 확산 방지막의 물리적 특성 및 열적 안정성link Lee, Chang-Woo; 이창우; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 38 | PIN 형 비정질 규소 태양전지의 광학적 개선을 통한 효율 증진에 관한 연구 = Improvement of conversion efficiency by optical enhancement in a-Si:H solar cellslink 이충훈; Lee, Choong-Hun; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 39 | Pinning effect on charge density wave(CDW)in quasi one-dimensional conductor by impurities of random distribution and periodic modulation = 일차원 도체에서 멋대로 분포하거나 주기적으로 움직이는 불순물들이 전하밀도파에 미치는 영향link Goo, Je-Huan; 구제환; Lee, Choo-Chon; Kim, Jong-Jean; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 40 | Porous silicon의 photo-luminescence특성과 전기적 특성에 관한 연구 = Photo-luminescence and electrical properties of porous siliconlink 이호년; Lee, Ho-Nyeon; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 41 | P층의 메탄 대 사일렌의 혼합비, 기판온도 및 투명전극이 PIN형 비정질 태양전지의 특성에 미치는 영향 = The effects of P-layer gas mixture ratio, substrate temperature and transparent conducting oxide electrodes on the performance of PIN a-Si:H solar cellslink 김정수; Kim, Jeong-Soo; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 42 | Quantum size effects and persistent photoconductivity in porous silicon = 다공질 실리콘의 양자크기효과 및 잔류 광 전기전도도link Lee, Wook-Hyoung; 이욱형; Shin, Sung-Chul; Lee, Choo-Chon; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 43 | R.F.스퍼터링에 의해 수소가 첨가된 비정질규소의 성질에 수소분압이 미치는 영향 = Effects of the hydrogen partial pressure on the properties of R.F. sputtered a-Si:Hlink 김장한; Kim, Jang-Han; 김종진; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 44 | $(RDA)_{1-x}(ADA)_x$ 혼합결정의 유전상수에 관한 연구 = Dielectric constant anomalies of $(RDA)_{1-x}(ADA)_x$ mixed crystalslink 김남; Kim, Nam; 이주천; 김종진; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 45 | Recombination processes in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소에서의 잉여 수송자 재결합에 관한 연구link Park, Gyeong-Lyong; 박경룡; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 46 | RF 글로우 방전에 의한 boron 및 phosphorous 가 도핑된 미세결정 규소의 제작에 관한 연구 = Fabrication of boron and phosphorous doped microcrystalline silicon by RF glow discharge methodlink 이왕주; Lee, Wang-Joo; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 47 | RF 글로우 방전에 의한 PIN 형 비정질 규소 태양전지의 최적조건 결정 = Determination of optimum condition for PIN-type amorphous silicon solar cells deposited by RF glow discharge decompositionlink 이동한; Lee, Dong-Han; 김종진; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 48 | RF-diode sputtering법에 의한 Y-Ba-Cu-O 초전도체의 박막공정 연구 = Fabrication of superconducting Y-Ba-Cu-O thin films by RF-diode sputtering methodlink 유형준; Yoo, Hyung-Joun; 박신종; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 49 | Steady-state photoconductivity in hidrogenated amorphous silicon and $Co_{0.2}Ga_2S_{3.2}$ single crystal = 수소화된 비정질 규소와 $Co_{0.2}Ga_2S_{3.2}$ 단결정의 정상상태 광전도도에 관한 연구link Park, Hyuk-Ryeol; 박혁렬; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 50 | (The) effect of heterogeneity on transport mechanisms in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소에서 전기전도 메카니즘과 이질성의 관계link Yang, Seung-Hun; 양승훈; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 51 | (The) effect of hydrogen and fluoring in the $Si-SiO_2$ system and Si surface = 실리콘-실리콘 산화막 경계면에서의 수소와 불소의 효과link Lee, Choong-Hun; 이충훈; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 52 | (The) electrical and optical characteristrics of carbon doped GaAs epilayers grown by low pressure MOCVD = 저압 유기금속화학증착법으로 성장한 탄소 도핑된 갈륨비소 에피층의 전기 및 광학적 특성link Kim, Seong-Il; 김성일; Lee, Choo-Chon; Min, Suk-Ki; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 53 | (The) electrical transport and optical absorption of amorphous Si-Ge alloy filmlink Song, Yang-Sup; 송양섭; et al, 한국과학기술원, 1980 |
| 54 | (The) influence of residual gases on electricaland optical properties of a-Si and a-Si:H thin films = 잔여 불순물이 a-Si 과 a-Si:H 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 효과link Lee, Ho-Keun; 이호근; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 55 | Thermal equilibration processes in hydrogenated amorphous silicon = 수소화된 비정질 규소의 열평형 과정에 관한 연구link Lee, Jae-Hee; 이재희; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 56 | Thiourea에 대한 은 전극 표면 증강 라만 산란 (SERS) = Surface enhanced raman scattering in thiourea/Ag electrode systemlink 김현곤; Kim, Hyeon-Gon; 이주천; 김종진; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 57 | Time-of-flight 테크닉을 이용한 수소화된 비정질 규소 p-i-n 형 다이오드의 배부 전기장 profile 에 관한연구 = Internal field profile in amorphous hydrogenated silicon p-i-n diode by time-of-flight techniquelink 홍성주; Hong, Sung-Ju; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 58 | Traveling wave 를 이용한 n 형 비정질 반도체의 drift mobility 측정 = Drift mobility measurements in n-type heavily doped amorphous semiconductors using traveling-wave methodlink 박진식; Park, Jin-Sik; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 59 | δ-doping 된 p-층을 이용한 PIN형 비정질 규소 태양 전지의 제작 = Fabrication of PIN type amorphous silicon solar cells with δ-doped p-layerlink 현경숙; Hyun, Kyung-Sook; 김종진; 이주천; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 60 | δ-도핑 방법을 사용한 a-SiC:H/a-Si:H 태양전지의 제작과 역방향전압 열처리효과에 관한 연구 = Fabrication and reverse bias annealing effect of a-SiC:H/a-Si:H heterojunction solar cells with δ-doped layerslink 이천규; Lee, Chun-Gyoo; et al, 한국과학기술원, 1989 |
