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First-principles study on the diffusion of B dopants in C-predoped Si = 탄소 원자가 주입된 실리콘 반도체에서 B 확산에 대한 제일원리 연구link Jwa, Sang-Hun; 좌상훈; et al, 한국과학기술원, 2009 |
Suppression of boron segregation by interface Ge atoms at SiGe/SiO2 interface Lee, Chang Hwi; Kim, Geun Myeong; Oh, Young Jun; Chang, Kee-Joo, CURRENT APPLIED PHYSICS, v.14, no.11, pp.1557 - 1563, 2014-11 |
불소이온 주입된 규소의 라만 산란 연구와 보론 확산에 미치는 불소의 영향연구 = Raman scattering from $F^+$ implanted Si and fluorine influence on boron diffusionlink 박용직; Park, Yong-Jik; et al, 한국과학기술원, 1997 |
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