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Characterization of Ge-Sb-Te based film by MOCVD for phase change memory application = 상변화 메모리 소자 응용을 위한 MOCVD를 이용한 Ge-Sb-Te계 박막의 증착 및 특성분석link Kim, Ran-Young; 김난영; et al, 한국과학기술원, 2008 |
Controlled self-assembly of block copolymers for device applications = 소자 응용을 위한 블록공중합고분자의 자기조립 제어link Park, Woon-Ik; 박운익; et al, 한국과학기술원, 2013 |
Microstructural and electrical characteristics of indium-antimony-tellurium chalcogenide alloys for application in phase change memory = 상변화 메모리 응용을 위한 InSbTe 칼코게나이드 화합물의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구link Kim, Eun-Tae; 김은태; et al, 한국과학기술원, 2010 |
상변화메모리 응용을 위한 $(InSb)_{2}Te_{3}$ 칼코게나이드 화합물의 상변화특성 연구 = Phase Change Characteristics of $(InSb)_{2}Te_{3}$ Chalcogenide Alloys for Application in Phase Change Memorylink 윤재진; Yun, Jae-Jin; et al, 한국과학기술원, 2011 |
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