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Browse "MS-Theses_Ph.D.(박사논문) " by Subject 박막트랜지스터

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1
(A) transmission electron microscopy study on the crystallization of low pressure chemical vapor deposition amorphous silicon thin films = 저압화학증착된 비정질 실리콘 박막의 결정화에 관한 투과전자현미경 연구link

Kim, Jin-Hyeok; 김진혁; et al, 한국과학기술원, 1996

2
Characterization of acceptor-doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ thin films as gate insulators for low voltage operating thin film transistors fabricated at room temperature = 저전압 구동 상온 공정 박막트랜지스터를 위한 게이트 절연막으로서 억셉터가 도핑된 $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ 박막에 관한 연구link

Kang, Kyong-Tae; 강경태; et al, 한국과학기술원, 2007

3
Hot-Wire CVD 방법을 이용한 (100) Si과 다결정 Si 씨앗층에서의 저온 에피택셜 Si 성장에 관한 연구 = low-temperature growth of epitaxial Si on (100) Si and poly-Si seed layer using hot-wire CVDlink

이승렬; Lee, Seung-Ryul; et al, 한국과학기술원, 2008

4
$NiCl_2$ 및 마이크로웨이브 가열을 이용한 비정질 Si 박막의 저온결정화에 관한 연구 = Low temperature crystallization amorphous Si thin films using $NiCl_2$ and microwave heatinglink

안진형; Ahn, Jin-Hyung; et al, 한국과학기술원, 2002

5
금속유도성장법과 기상유도결정화법을 이용한 저온 다결정 Si 박막 제조에 관한 연구 = Low temperature fabrication of poly-Si film by metal-induced growth and vapor-induced crystallizationlink

안경민; Ahn, Kyung-Min; et al, 한국과학기술원, 2011

6
기상유도결정화 및 RTA 공정에 의한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터 특성에 관한 연구 = Fabrication of polycrystalline Si films by vapor-induced crystallization and rapid thermal annealing process and characterization of polycrystalline Si thin film transistorslink

양용호; Yang, Yong-Ho; et al, 한국과학기술원, 2011

7
기상유도결정화법에 의한 비정질 Si 박막의 저온결정화와 다결정 Si 박막트랜지스터에의 응용에 관한 연구 = Low temperature crystallization of amorphous Si thin films using vapor-induced crystallization and its application to polycrystalline Si thin film transistorslink

엄지혜; Eom, Ji-Hye; et al, 한국과학기술원, 2005

8
저온 열처리 공정에 의한 LCD-TFT용 poly-Si 박막의 제조에 관한 연구 = A study on the fabrication of poly-Si films for LCD-TFT by low-temperature annealing processlink

김해열; Kim, Hae-Yeol; et al, 한국과학기술원, 2000

9
저온 유도결합 플라즈마 산화에 의한 $Si/SiO_2$ 계면 특성과 박막트랜지스터 특성 변화 연구 = Effects of low-temperature inductively-coupled plasma oxidation on the characteristics of $Si/SiO_2$ interface and thin film transistorslink

김보현; Kim, Bo-Hyun; et al, 한국과학기술원, 2004

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