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구리 CECVD를 이용한 3-D packaging용 through-Si via/trench filling에 대한 연구 = Through-Si via/trench filling for 3-D packaging by copper catalyst-enhanced chemical vapor depositionlink 이도선; Lee, Do-Seon; et al, 한국과학기술원, 2009 |
구리의 화학증착기구에 관한 연구 = A study on the copper chemical vapor deposition mechanism using copper(I) hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilanelink 이원준; Lee, Won-Jun; et al, 한국과학기술원, 1996 |
반도체 배선용 구리 전기도금막의 Self-annealing 기구분석 = Analysis of self-annealing mechanism in electroplated Cu thin film for the interconnect of semiconductor deviceslink 이창희; Lee, Chang-Hee; et al, 한국과학기술원, 2003 |
염소계 플라즈마를 이용한 구리박막의 건식 식각기구에 관한 연구 = A study on the dry etching mechanism of copper film in chlorine-based plasmalink 이성권; Lee, Sung-Kwon; et al, 한국과학기술원, 1997 |
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