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Browse "EE-Conference Papers(학술회의논문)" by Author 이태인

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1
3차원 플래쉬 메모리의 이동도 향상을 위한 산화물 반도체 채널 도입

이윤희; 신의중; 이태인; 오승현; 조성행; 주찬종; 이재덕; et al, 제 30회 한국반도체학술대회, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2023-02-14

2
Channel Mobility Boosting through Ge profile and grain size engineering in a Ge-diffused Poly-Si channel for 3D V-NAND Flash Memory

이태인; 이윤희; 신의중; 김민주; 이정훈; 이재덕; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-26

3
Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2

신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

4
Low Resistance ALD-NiGe Contact with Phosphorus Segregation on n-Type Germanium

안현준; 문정민; 이태인; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-07

5
Metal/Al2O3/GeO2/Ge 구조의 열처리에 따른 유효 일함수에 대한 연구

이태인; 서유진; 문정민; 안현준; 유현영; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15

6
Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation

이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14

7
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack

이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

8
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조

이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15

9
기상 증착 기반 유연 전자 소자용 유-무기 절연막

김민주; 박관용; 이태인; 임성갑; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-06

10
기상합성 고유전율 하이브리드 절연막

김민주; 박관용; 이태인; 임성갑; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15

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