저전류 영역에서의 효율 증대 마이크로 발광 다이오드 소자와 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 디스플레이HIGHLY EFFICIENT MICRO LED AT LOW CURRENT RANGE AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY COMPRISING THE SAME

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다양한 실시예들은 저전류 영역에서의 효율 증대 마이크로 LED와 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 디스플레이를 제공할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 마이크로 발광 다이오드 소자는, 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층, 및 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 사이에 배치되고, 단일 양자 우물 구조를 갖는 활성층을 포함하고, 단일 양자 우물 구조는, 제 1 도전형 반도체층 또는 제 2 도전형 반도체층 중 어느 하나에 대한 전도대 오프셋(conduction band offset)과 제 1 도전형 반도체층 또는 제 2 도전형 반도체층 중 다른 하나에 대한 가전대 오프셋(valance band offset)의 비율이 0을 초과하고 1 미만이 되도록 형성될 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2023-01-26
Application Number
10-2023-0010102
Registration Date
2024-05-13
Registration Number
10-2666630-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/319468
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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