플로팅 게이트 기반 3 단자 아날로그 시냅스 소자 및 제조 방법A floating gate based 3-terminal analog synapse device and a manufacturing method thereof
실리콘채널층; 상기 실리콘채널층 상에 증착된 게이트산화물; 상기 게이트산화물 상에 증착되어 전하가 주입되는 전하저장층; 상기 전하저장층 상에 증착되고, 상기 전하저장층 물질의 전자친화도보다 낮은 전자친화도를 갖는 배리어층; 및 상기 배리어층의 상부면에 증착되어 게이트 전압이 인가되는 게이트금속층;을 포함하는 플로팅 게이트 기반 3 단자 아날로그 시냅스 소자가 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-11-17
- Application Number
- 10-2021-0158208
- Registration Date
- 2023-12-19
- Registration Number
- 10-2617104-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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