플로팅 게이트 기반 3 단자 아날로그 시냅스 소자 및 제조 방법A floating gate based 3-terminal analog synapse device and a manufacturing method thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최신현 | ko |
| dc.contributor.author | 김범진 | ko |
| dc.contributor.author | 김태룡 | ko |
| dc.contributor.author | 박시온 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-04-23T10:00:44Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-23T10:00:44Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/319207 | - |
| dc.description.abstract | 실리콘채널층; 상기 실리콘채널층 상에 증착된 게이트산화물; 상기 게이트산화물 상에 증착되어 전하가 주입되는 전하저장층; 상기 전하저장층 상에 증착되고, 상기 전하저장층 물질의 전자친화도보다 낮은 전자친화도를 갖는 배리어층; 및 상기 배리어층의 상부면에 증착되어 게이트 전압이 인가되는 게이트금속층;을 포함하는 플로팅 게이트 기반 3 단자 아날로그 시냅스 소자가 제공된다. | - |
| dc.title | 플로팅 게이트 기반 3 단자 아날로그 시냅스 소자 및 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | A floating gate based 3-terminal analog synapse device and a manufacturing method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최신현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0158208 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2617104-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-11-17 | - |
| dc.date.registration | 2023-12-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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