소수성 보호층을 포함하는 수직형 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법Vertical light emitting transistor including hydrophobic protective layer and preparing method thereof
본 발명은 반도체 소자 및 반도체 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수직 구조의 유기 반도체 박막 트랜지스터와 광반도체 소재의 융합 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원, 한국표준과학연구원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2022-12-29
- Application Number
- 10-2022-0189177
- Registration Date
- 2023-10-24
- Registration Number
- 10-2594806-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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