소수성 보호층을 포함하는 수직형 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법Vertical light emitting transistor including hydrophobic protective layer and preparing method thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조힘찬 | ko |
| dc.contributor.author | 신승민 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T10:01:59Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-21T10:01:59Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/316842 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 소자 및 반도체 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수직 구조의 유기 반도체 박막 트랜지스터와 광반도체 소재의 융합 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 소수성 보호층을 포함하는 수직형 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Vertical light emitting transistor including hydrophobic protective layer and preparing method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조힘찬 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원, 한국표준과학연구원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0189177 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2594806-0000 | - |
| dc.date.application | 2022-12-29 | - |
| dc.date.registration | 2023-10-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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